型号：UPS2V010MPD
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-1.0A（@TC=70℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-2.5A
　　导通电阻RDS(on)：100mΩ（@VGS=-4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：120mΩ（@VGS=-2.5V）
　　栅极阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：220pF（@VDS=10V）
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管优化设计
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：UMT3（SOT-723）

UPS2V010MPD具备出色的导通特性与低静态损耗，其核心优势在于低导通电阻RDS(on)，在VGS=-4.5V条件下仅为100mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效表现。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它直接影响到续航时间和发热控制。同时，在更低的驱动电压（如-2.5V）下仍能保持120mΩ的较低导通电阻，说明该器件对低电压逻辑信号具有良好的响应能力，适用于由微控制器直接驱动的应用场景，无需额外电平转换或驱动IC，简化了电路设计并节省PCB空间。
　　该器件采用P沟道结构，使其在高边开关配置中尤为适用，尤其是在电源路径控制和电池反接保护电路中表现出天然优势。当电源正常接入时，MOSFET可以顺利导通；而在电源反接情况下，器件自动截止，从而有效防止电流倒灌损坏后级电路，提升了系统的安全性。此外，P沟道MOSFET在关断状态下具有极低的漏电流，有助于降低待机功耗，满足现代电子产品对节能的要求。
　　从热性能角度来看，尽管UPS2V010MPD采用的是小型表面贴装封装（UMT3/SOT-723），但其内部结构经过优化，能够在有限的散热条件下维持稳定工作。其最大结温可达150℃，表明其具备良好的高温耐受能力，适合在环境温度较高或密闭空间内使用。同时，该器件的寄生参数（如输入电容Ciss仅为220pF）较小，意味着其开关速度较快，动态响应良好，适合用于需要快速通断控制的场合，例如负载切换或热插拔保护。
　　另外，UPS2V010MPD具备良好的抗静电能力（ESD保护）和制造一致性，确保在批量生产中的高良率和长期可靠性。其符合AEC-Q101车规级可靠性测试的部分条件（视具体批次而定），也拓展了其在汽车电子中的潜在应用范围，如车载信息娱乐系统或传感器模块的电源管理。综合来看，该器件凭借其低RDS(on)、小封装、易驱动和高可靠性，成为众多低功率电源开关应用中的优选方案。

UPS2V010MPD广泛应用于各类便携式电子设备中，作为电源开关或电池管理的关键元件。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的副电源域控制，例如显示屏背光电源、摄像头模块供电或无线通信模块（Wi-Fi/蓝牙）的独立上电管理。在这些设备中，不同功能模块往往需要按需供电以节省能耗，而该MOSFET可通过主控MCU或电源管理芯片（PMIC）输出的逻辑信号精确控制通断，实现精细化的电源调度。
　　此外，它常被用于电池供电系统中的反向电压保护电路。当用户错误地将电池极性接反时，P沟道MOSFET会因体二极管不导通且栅极无法形成有效反型层而保持关断状态，从而阻断反向电流路径，保护后续电路不受损害。这种被动式保护机制无需额外检测电路，成本低且可靠性高，广泛应用于手持仪器、电动工具和消费类电子产品中。
　　在多电源切换系统中，UPS2V010MPD也可作为理想二极管使用，配合其他MOSFET实现无缝电源切换，比如在主电池与备用电池之间、或USB供电与电池供电之间的自动切换。由于其低导通压降远小于传统肖特基二极管，因此能显著减少能量损耗，提高系统效率。
　　该器件还适用于热插拔电路设计，在系统运行过程中安全地接入或断开某个子模块，防止浪涌电流冲击主电源。其快速响应能力和稳定的电气特性确保了切换过程的平稳性。此外，在工业传感器节点、物联网终端设备以及可穿戴设备（如智能手表、健康监测仪）中，该MOSFET因其微型封装和低功耗特性而备受青睐，有助于实现设备的小型化和长续航目标。

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　　 "UPA2H10TP"
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