MAAM28000-A1G 是一款由 MACOM 公司生产的高性能 GaAs(砷化镓)单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA),适用于广泛的射频和微波应用。该器件采用先进的 GaAs pHEMT(假晶高电子迁移率晶体管)工艺制造,具有出色的噪声性能和高增益特性,非常适合用于通信系统、测试设备、雷达和无线基础设施等领域。MAAM28000-A1G 封装形式为 6 引脚 SOT-363 表面贴装封装,具备良好的热稳定性和可靠性。
频率范围:50 MHz - 6 GHz
工作电压:3.3 V
工作电流:45 mA
增益:18 dB(典型值)
噪声系数:0.65 dB(典型值)@ 2 GHz
输出三阶交调截点(OIP3):+22 dBm
输入驻波比(VSWR):< 1.5:1
输出驻波比(VSWR):< 1.5:1
封装类型:6 引脚 SOT-363
MAAM28000-A1G 具备多项优异的电气特性,适用于高性能射频前端设计。
首先,其工作频率范围覆盖 50 MHz 至 6 GHz,使其适用于多种无线通信标准,包括蜂窝网络(如 GSM、WCDMA、LTE)、Wi-Fi、WiMAX 和卫星通信等。这种宽带特性使得该器件在多频段系统中具有高度灵活性。
其次,该放大器具有低噪声系数(典型值为 0.65 dB @ 2 GHz),确保在信号接收链路中引入尽可能少的热噪声,从而提升整体系统的信噪比和接收灵敏度。这一特性对于基站、测试仪器和高精度测量设备尤为重要。
此外,MAAM28000-A1G 提供高达 18 dB 的典型增益,使得它能够在无需多级放大的情况下实现良好的信号增强,有助于简化电路设计并减少系统复杂度。其高线性度特性(OIP3 为 +22 dBm)也确保在存在强干扰信号的环境中仍能保持良好的动态范围和信号完整性。
该器件采用 3.3 V 单电源供电,工作电流仅为 45 mA,具备良好的能效表现,适合对功耗敏感的应用场景。同时,其输入和输出端口均具有良好的匹配特性(VSWR < 1.5:1),可减少外部匹配网络的需求,降低设计难度并节省 PCB 空间。
MAAM28000-A1G 采用 6 引脚 SOT-363 封装,尺寸小巧,便于集成到高密度电路板中。该封装形式还具备良好的热稳定性和焊接可靠性,适用于自动化生产流程。
MAAM28000-A1G 广泛应用于各类高性能射频和微波系统中,作为前端低噪声放大器使用。
在无线通信基础设施中,该器件可用于基站、小型蜂窝设备和中继器中的接收链路,以提高接收灵敏度和系统稳定性。其宽带特性使其兼容多种通信标准,如 GSM、CDMA、WCDMA、LTE、5G Sub-6GHz 和 WiMAX。
在测试与测量设备中,MAAM28000-A1G 可作为频谱分析仪、信号发生器或网络分析仪的前置放大器,提高仪器的测量精度和灵敏度。由于其低噪声和高线性度,非常适合用于高精度信号检测和分析场景。
此外,该器件也适用于雷达系统、卫星通信终端和无线传感器网络等对性能要求较高的领域。例如,在卫星地面站中,它可以用于增强接收信号强度,提高通信链路质量。
MAAM28000-A1G 还可用于工业自动化、物联网(IoT)设备和高端消费电子产品中的无线模块设计,为各种无线连接应用提供可靠且高效的信号放大解决方案。
HMC414, BGA2707, ATF-54143, TQP3M9015