时间：2025/10/6 17:30:05
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UPS2F221MRD是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的P沟道功率MOSFET，采用超小型封装SSF（Small Surface-mount package with Flat leads），适用于空间受限的便携式电子设备。该器件专为电池供电系统中的负载开关、电源管理及高效率开关应用而设计。其主要优势在于低导通电阻（RDS(on)）、低阈值电压以及出色的热稳定性，能够在较小的封装尺寸下实现较高的电流承载能力与较低的功耗。该MOSFET具备良好的栅极耐压能力，支持逻辑电平驱动，便于与微控制器或其他数字控制电路直接接口。此外，SSF封装不仅节省PCB空间，还优化了热性能和电气性能，适合高密度组装工艺，如智能手机、可穿戴设备、物联网终端等对体积和能效要求严苛的应用场景。
型号：UPS2F221MRD
制造商：ROHM Semiconductor
器件类型：P-Channel MOSFET
封装类型：SSF
通道数：1
漏源电压(VDS)：-20V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：-2.2A
脉冲漏极电流(ID_pulse)：-4.4A
导通电阻(RDS(on))_max@VGS=-4.5V：68mΩ
导通电阻(RDS(on))_max@VGS=-2.5V：85mΩ
导通电阻(RDS(on))_max@VGS=-1.8V：110mΩ
阈值电压(Vth)：-0.6V ~ -1.0V
输入电容(Ciss)：330pF @ VDS=10V, VGS=0V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
UPS2F221MRD的核心特性之一是其低导通电阻，在VGS = -4.5V条件下最大仅为68mΩ，这显著降低了在导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。尤其是在电池供电设备中，这种低RDS(on)有助于延长电池续航时间。此外，该器件在更低的栅极驱动电压下仍能保持良好性能，例如在VGS = -2.5V时RDS(on)为85mΩ，甚至在VGS = -1.8V时也能达到110mΩ，表明其具备优异的逻辑电平兼容性，能够直接由3.3V或1.8V的微处理器GPIO引脚驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了设计复杂度并减少了外围元件数量。
另一个关键特性是其采用的SSF超小型封装技术。SSF封装具有扁平引脚结构，不仅实现了极小的占板面积（通常小于1mm2），而且通过优化内部引线布局和散热路径，提高了热传导效率，使得即使在较高电流负载下也能维持稳定的结温。这对于紧凑型电子产品至关重要，因为它们往往缺乏主动散热手段，依赖PCB进行被动散热。同时，SSF封装符合JEDEC标准，支持自动化贴片生产，具备良好的焊接可靠性和抗机械应力能力，适用于回流焊工艺。
该MOSFET还具备良好的热稳定性和可靠性。其最大工作结温可达+150°C，并内置一定的热保护裕量，能够在瞬态过载或环境温度升高的情况下持续运行而不发生热失控。此外，器件经过严格的老化测试和质量管控，符合AEC-Q101车规级可靠性标准的部分要求，虽然主要用于消费类电子，但在工业级环境中也表现出稳定的性能。栅氧化层设计增强了对静电放电（ESD）的耐受能力，HBM模型下典型值可达2000V以上，提升了器件在生产和使用过程中的鲁棒性。
UPS2F221MRD广泛应用于需要高效、小型化电源开关解决方案的各类电子设备中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的负载开关，如智能手机和平板电脑中的显示屏背光控制、摄像头模块供电管理、音频放大器电源启停等。在这些应用中，MOSFET作为高端开关使用，能够快速切断不用模块的电源，实现精细化的功耗管理，进而提升整机能效和待机时间。
此外，该器件也常用于电池管理系统（BMS）中的充放电路径控制，特别是在单节锂离子或锂聚合物电池供电系统中，作为反向电流阻断或过放保护的开关元件。由于其P沟道结构无需复杂的自举电路即可实现高边开关功能，因此相较于N沟道MOSFET在某些拓扑中更具设计优势。
在物联网（IoT）设备和可穿戴设备中，如智能手表、无线传感器节点、蓝牙耳机等，UPS2F221MRD凭借其超小封装和低静态功耗特性，成为理想的电源切换器件。它可用于多电源域之间的切换，比如在主电源与备用电池之间进行自动切换，确保系统在主电源失效时仍能维持关键功能运行。
工业控制领域中的一些低电压直流电机驱动、电磁阀控制电路也可采用该器件作为低边或高边开关，尤其适用于24V以下的低压控制系统。此外，在DC-DC转换器的同步整流或续流路径中，该MOSFET也可作为辅助开关元件，提高转换效率。
DMG2305UX-7
SI2301DS-T1-E3
FDS6670A
