UPS2F221MRD是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的P沟道功率MOSFET,采用超小型封装SSF(Small Surface-mount package with Flat leads),适用于空间受限的便携式电子设备。该器件专为电池供电系统中的负载开关、电源管理及高效率开关应用而设计。其主要优势在于低导通电阻(RDS(on))、低阈值电压以及出色的热稳定性,能够在较小的封装尺寸下实现较高的电流承载能力与较低的功耗。该MOSFET具备良好的栅极耐压能力,支持逻辑电平驱动,便于与微控制器或其他数字控制电路直接接口。此外,SSF封装不仅节省PCB空间,还优化了热性能和电气性能,适合高密度组装工艺,如智能手机、可穿戴设备、物联网终端等对体积和能效要求严苛的应用场景。
型号:UPS2F221MRD
制造商:ROHM Semiconductor
器件类型:P-Channel MOSFET
封装类型:SSF
通道数:1
漏源电压(VDS):-20V
栅源电压(VGS):±12V
连续漏极电流(ID):-2.2A
脉冲漏极电流(ID_pulse):-4.4A
导通电阻(RDS(on))_max@VGS=-4.5V:68mΩ
导通电阻(RDS(on))_max@VGS=-2.5V:85mΩ
导通电阻(RDS(on))_max@VGS=-1.8V:110mΩ
阈值电压(Vth):-0.6V ~ -1.0V
输入电容(Ciss):330pF @ VDS=10V, VGS=0V
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
UPS2F221MRD的核心特性之一是其低导通电阻,在VGS = -4.5V条件下最大仅为68mΩ,这显著降低了在导通状态下的功率损耗,提升了整体系统效率。尤其是在电池供电设备中,这种低RDS(on)有助于延长电池续航时间。此外,该器件在更低的栅极驱动电压下仍能保持良好性能,例如在VGS = -2.5V时RDS(on)为85mΩ,甚至在VGS = -1.8V时也能达到110mΩ,表明其具备优异的逻辑电平兼容性,能够直接由3.3V或1.8V的微处理器GPIO引脚驱动,无需额外的电平转换电路,从而简化了设计复杂度并减少了外围元件数量。
另一个关键特性是其采用的SSF超小型封装技术。SSF封装具有扁平引脚结构,不仅实现了极小的占板面积(通常小于1mm2),而且通过优化内部引线布局和散热路径,提高了热传导效率,使得即使在较高电流负载下也能维持稳定的结温。这对于紧凑型电子产品至关重要,因为它们往往缺乏主动散热手段,依赖PCB进行被动散热。同时,SSF封装符合JEDEC标准,支持自动化贴片生产,具备良好的焊接可靠性和抗机械应力能力,适用于回流焊工艺。
该MOSFET还具备良好的热稳定性和可靠性。其最大工作结温可达+150°C,并内置一定的热保护裕量,能够在瞬态过载或环境温度升高的情况下持续运行而不发生热失控。此外,器件经过严格的老化测试和质量管控,符合AEC-Q101车规级可靠性标准的部分要求,虽然主要用于消费类电子,但在工业级环境中也表现出稳定的性能。栅氧化层设计增强了对静电放电(ESD)的耐受能力,HBM模型下典型值可达2000V以上,提升了器件在生产和使用过程中的鲁棒性。
UPS2F221MRD广泛应用于需要高效、小型化电源开关解决方案的各类电子设备中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的负载开关,如智能手机和平板电脑中的显示屏背光控制、摄像头模块供电管理、音频放大器电源启停等。在这些应用中,MOSFET作为高端开关使用,能够快速切断不用模块的电源,实现精细化的功耗管理,进而提升整机能效和待机时间。
此外,该器件也常用于电池管理系统(BMS)中的充放电路径控制,特别是在单节锂离子或锂聚合物电池供电系统中,作为反向电流阻断或过放保护的开关元件。由于其P沟道结构无需复杂的自举电路即可实现高边开关功能,因此相较于N沟道MOSFET在某些拓扑中更具设计优势。
在物联网(IoT)设备和可穿戴设备中,如智能手表、无线传感器节点、蓝牙耳机等,UPS2F221MRD凭借其超小封装和低静态功耗特性,成为理想的电源切换器件。它可用于多电源域之间的切换,比如在主电源与备用电池之间进行自动切换,确保系统在主电源失效时仍能维持关键功能运行。
工业控制领域中的一些低电压直流电机驱动、电磁阀控制电路也可采用该器件作为低边或高边开关,尤其适用于24V以下的低压控制系统。此外,在DC-DC转换器的同步整流或续流路径中,该MOSFET也可作为辅助开关元件,提高转换效率。
DMG2305UX-7
SI2301DS-T1-E3
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