您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > UPS2F221MRD

UPS2F221MRD 发布时间 时间:2025/10/6 17:30:05 查看 阅读:7

UPS2F221MRD是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的P沟道功率MOSFET,采用超小型封装SSF(Small Surface-mount package with Flat leads),适用于空间受限的便携式电子设备。该器件专为电池供电系统中的负载开关、电源管理及高效率开关应用而设计。其主要优势在于低导通电阻(RDS(on))、低阈值电压以及出色的热稳定性,能够在较小的封装尺寸下实现较高的电流承载能力与较低的功耗。该MOSFET具备良好的栅极耐压能力,支持逻辑电平驱动,便于与微控制器或其他数字控制电路直接接口。此外,SSF封装不仅节省PCB空间,还优化了热性能和电气性能,适合高密度组装工艺,如智能手机、可穿戴设备、物联网终端等对体积和能效要求严苛的应用场景。

参数

型号:UPS2F221MRD
  制造商:ROHM Semiconductor
  器件类型:P-Channel MOSFET
  封装类型:SSF
  通道数:1
  漏源电压(VDS):-20V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):-2.2A
  脉冲漏极电流(ID_pulse):-4.4A
  导通电阻(RDS(on))_max@VGS=-4.5V:68mΩ
  导通电阻(RDS(on))_max@VGS=-2.5V:85mΩ
  导通电阻(RDS(on))_max@VGS=-1.8V:110mΩ
  阈值电压(Vth):-0.6V ~ -1.0V
  输入电容(Ciss):330pF @ VDS=10V, VGS=0V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

UPS2F221MRD的核心特性之一是其低导通电阻,在VGS = -4.5V条件下最大仅为68mΩ,这显著降低了在导通状态下的功率损耗,提升了整体系统效率。尤其是在电池供电设备中,这种低RDS(on)有助于延长电池续航时间。此外,该器件在更低的栅极驱动电压下仍能保持良好性能,例如在VGS = -2.5V时RDS(on)为85mΩ,甚至在VGS = -1.8V时也能达到110mΩ,表明其具备优异的逻辑电平兼容性,能够直接由3.3V或1.8V的微处理器GPIO引脚驱动,无需额外的电平转换电路,从而简化了设计复杂度并减少了外围元件数量。
  另一个关键特性是其采用的SSF超小型封装技术。SSF封装具有扁平引脚结构,不仅实现了极小的占板面积(通常小于1mm2),而且通过优化内部引线布局和散热路径,提高了热传导效率,使得即使在较高电流负载下也能维持稳定的结温。这对于紧凑型电子产品至关重要,因为它们往往缺乏主动散热手段,依赖PCB进行被动散热。同时,SSF封装符合JEDEC标准,支持自动化贴片生产,具备良好的焊接可靠性和抗机械应力能力,适用于回流焊工艺。
  该MOSFET还具备良好的热稳定性和可靠性。其最大工作结温可达+150°C,并内置一定的热保护裕量,能够在瞬态过载或环境温度升高的情况下持续运行而不发生热失控。此外,器件经过严格的老化测试和质量管控,符合AEC-Q101车规级可靠性标准的部分要求,虽然主要用于消费类电子,但在工业级环境中也表现出稳定的性能。栅氧化层设计增强了对静电放电(ESD)的耐受能力,HBM模型下典型值可达2000V以上,提升了器件在生产和使用过程中的鲁棒性。

应用

UPS2F221MRD广泛应用于需要高效、小型化电源开关解决方案的各类电子设备中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的负载开关,如智能手机和平板电脑中的显示屏背光控制、摄像头模块供电管理、音频放大器电源启停等。在这些应用中,MOSFET作为高端开关使用,能够快速切断不用模块的电源,实现精细化的功耗管理,进而提升整机能效和待机时间。
  此外,该器件也常用于电池管理系统(BMS)中的充放电路径控制,特别是在单节锂离子或锂聚合物电池供电系统中,作为反向电流阻断或过放保护的开关元件。由于其P沟道结构无需复杂的自举电路即可实现高边开关功能,因此相较于N沟道MOSFET在某些拓扑中更具设计优势。
  在物联网(IoT)设备和可穿戴设备中,如智能手表、无线传感器节点、蓝牙耳机等,UPS2F221MRD凭借其超小封装和低静态功耗特性,成为理想的电源切换器件。它可用于多电源域之间的切换,比如在主电源与备用电池之间进行自动切换,确保系统在主电源失效时仍能维持关键功能运行。
  工业控制领域中的一些低电压直流电机驱动、电磁阀控制电路也可采用该器件作为低边或高边开关,尤其适用于24V以下的低压控制系统。此外,在DC-DC转换器的同步整流或续流路径中,该MOSFET也可作为辅助开关元件,提高转换效率。

替代型号

DMG2305UX-7
  SI2301DS-T1-E3
  FDS6670A

UPS2F221MRD推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

UPS2F221MRD资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

UPS2F221MRD参数

  • 制造商Nichicon
  • 产品种类铝质电解电容器 - 带引线
  • 电容220 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值315 Volts
  • 工作温度范围- 40 C to + 105 C
  • 端接类型Radial
  • 尺寸22 mm Dia. x 50 mm L
  • 产品Low Impedance Electrolytic Capacitors
  • 引线间隔10 mm
  • 漏泄电流2872 uAmps
  • 纹波电流540 mAmps
  • 系列PS
  • 工厂包装数量250