时间：2025/10/7 5:23:51
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UPS1H3R3MDD是一款由NEC（现为瑞萨电子Renesas的一部分）生产的硅P沟道MOS场效应晶体管（MOSFET），主要用于电源管理应用，特别是在负载开关、电池供电设备和电压转换电路中表现出色。该器件采用小型表面贴装封装（通常为SOT-23或类似尺寸封装），适合对空间要求较高的便携式电子产品。其设计优化了低导通电阻和低阈值电压特性，能够在低电压条件下实现高效的功率控制。由于采用了先进的半导体工艺，UPS1H3R3MDD具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业级温度范围内的长期运行。该器件常用于替代机械开关或双极型晶体管，在需要快速开关响应和低静态功耗的应用场景中具有明显优势。此外，该MOSFET的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平，使其能够直接由微控制器或其他数字信号源驱动，简化了系统设计复杂度。
型号：UPS1H3R3MDD
类型：P沟道MOSFET
连续漏极电流（ID）：-300mA
漏源击穿电压（BVDSS）：-20V
栅源电压（VGS）：±8V
导通电阻（RDS(on)）：3.3Ω（典型值，VGS = -4.5V）
阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V
输入电容（Ciss）：约90pF
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-23（SC-59）
UPS1H3R3MDD作为一款高性能P沟道MOSFET，具备多项关键特性，使其在低功率电源开关应用中表现优异。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为3.3Ω（在VGS = -4.5V条件下测得），显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长设备的工作时间。
其次，该器件具有较低的栅极阈值电压，范围在-1.0V至-2.0V之间，意味着即使在较低的控制电压下也能实现有效的导通控制，适合与3.3V或更低电压的逻辑电路直接接口，无需额外的电平转换电路。这种特性极大地简化了系统设计，并减少了外围元件数量。
此外，UPS1H3R3MDD采用小型SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，尤其适用于智能手机、可穿戴设备、便携式医疗仪器等对空间敏感的产品。其封装还具备良好的散热性能，能够在有限的空间内有效散发工作时产生的热量，确保器件长期稳定运行。
该MOSFET的漏源击穿电压为-20V，提供了足够的电压裕量以应对瞬态过压情况，增强了系统的鲁棒性。同时，其最大连续漏极电流可达-300mA，足以驱动多数中小功率负载，如LED背光、传感器模块或通信接口电路。
最后，该器件经过严格的老化和可靠性测试，支持工业级温度范围（-55°C至+150°C），确保在各种环境条件下均能保持稳定的电气性能，满足严苛应用场景的需求。
UPS1H3R3MDD广泛应用于各类低电压、低功耗的电子系统中，尤其适合作为电源开关器件使用。常见应用包括便携式消费类电子产品中的电池电源管理，例如在智能手机和平板电脑中用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或热插拔功能。
在嵌入式系统中，该器件可用于微控制器的外设电源控制，通过软件指令动态开启或关闭传感器、显示屏、无线模块等外围设备的供电，从而优化整机能耗。此外，它也常用于DC-DC转换器的同步整流或反向电流阻断电路中，提升转换效率并防止电流倒灌。
在工业自动化和测量设备中，UPS1H3R3MDD可用于信号通路切换或模拟前端的电源隔离，确保系统在待机模式下几乎不消耗电能。其快速的开关响应能力也使其适用于需要频繁启停的控制场合。
其他典型应用场景还包括USB电源开关、LDO使能控制、多电源系统中的电源选择开关以及电机驱动电路中的低端开关等。由于其封装小巧且易于焊接，特别适合自动化贴片生产，广泛用于大批量制造的电子产品中。
UPH3R3MDD
APM2301P
AO3415
Si2301DS
FDMC7662
