UPS1H3R3MDD是一款由NEC(现为瑞萨电子Renesas的一部分)生产的硅P沟道MOS场效应晶体管(MOSFET),主要用于电源管理应用,特别是在负载开关、电池供电设备和电压转换电路中表现出色。该器件采用小型表面贴装封装(通常为SOT-23或类似尺寸封装),适合对空间要求较高的便携式电子产品。其设计优化了低导通电阻和低阈值电压特性,能够在低电压条件下实现高效的功率控制。由于采用了先进的半导体工艺,UPS1H3R3MDD具备良好的热稳定性和可靠性,适用于工业级温度范围内的长期运行。该器件常用于替代机械开关或双极型晶体管,在需要快速开关响应和低静态功耗的应用场景中具有明显优势。此外,该MOSFET的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平,使其能够直接由微控制器或其他数字信号源驱动,简化了系统设计复杂度。
型号:UPS1H3R3MDD
类型:P沟道MOSFET
连续漏极电流(ID):-300mA
漏源击穿电压(BVDSS):-20V
栅源电压(VGS):±8V
导通电阻(RDS(on)):3.3Ω(典型值,VGS = -4.5V)
阈值电压(VGS(th)):-1.0V ~ -2.0V
输入电容(Ciss):约90pF
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:SOT-23(SC-59)
UPS1H3R3MDD作为一款高性能P沟道MOSFET,具备多项关键特性,使其在低功率电源开关应用中表现优异。首先,其低导通电阻(RDS(on))仅为3.3Ω(在VGS = -4.5V条件下测得),显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体能效。这对于电池供电设备尤为重要,有助于延长设备的工作时间。
其次,该器件具有较低的栅极阈值电压,范围在-1.0V至-2.0V之间,意味着即使在较低的控制电压下也能实现有效的导通控制,适合与3.3V或更低电压的逻辑电路直接接口,无需额外的电平转换电路。这种特性极大地简化了系统设计,并减少了外围元件数量。
此外,UPS1H3R3MDD采用小型SOT-23封装,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,尤其适用于智能手机、可穿戴设备、便携式医疗仪器等对空间敏感的产品。其封装还具备良好的散热性能,能够在有限的空间内有效散发工作时产生的热量,确保器件长期稳定运行。
该MOSFET的漏源击穿电压为-20V,提供了足够的电压裕量以应对瞬态过压情况,增强了系统的鲁棒性。同时,其最大连续漏极电流可达-300mA,足以驱动多数中小功率负载,如LED背光、传感器模块或通信接口电路。
最后,该器件经过严格的老化和可靠性测试,支持工业级温度范围(-55°C至+150°C),确保在各种环境条件下均能保持稳定的电气性能,满足严苛应用场景的需求。
UPS1H3R3MDD广泛应用于各类低电压、低功耗的电子系统中,尤其适合作为电源开关器件使用。常见应用包括便携式消费类电子产品中的电池电源管理,例如在智能手机和平板电脑中用于控制不同功能模块的供电通断,实现节能待机或热插拔功能。
在嵌入式系统中,该器件可用于微控制器的外设电源控制,通过软件指令动态开启或关闭传感器、显示屏、无线模块等外围设备的供电,从而优化整机能耗。此外,它也常用于DC-DC转换器的同步整流或反向电流阻断电路中,提升转换效率并防止电流倒灌。
在工业自动化和测量设备中,UPS1H3R3MDD可用于信号通路切换或模拟前端的电源隔离,确保系统在待机模式下几乎不消耗电能。其快速的开关响应能力也使其适用于需要频繁启停的控制场合。
其他典型应用场景还包括USB电源开关、LDO使能控制、多电源系统中的电源选择开关以及电机驱动电路中的低端开关等。由于其封装小巧且易于焊接,特别适合自动化贴片生产,广泛用于大批量制造的电子产品中。
UPH3R3MDD
APM2301P
AO3415
Si2301DS
FDMC7662