CS5N65FA9H 时间：2025/8/2 0:25:39 阅读：19

CS5N65FA9H 是一款由ONSEMI（安森美半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高频率的电源转换应用而设计。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，使其在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机控制等领域得到广泛应用。CS5N65FA9H采用先进的超级结（Super Junction）技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）：4.2A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大）
　　栅极电荷（Qg）：34nC（典型）
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

CS5N65FA9H具有多项优越性能，首先是其低导通电阻，使得在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高了电源系统的整体效率。
　　其次，该器件采用了超级结技术，这使其在高电压应用中具备更优异的性能表现，同时减少了开关损耗，提高了器件的开关速度。
　　此外，CS5N65FA9H具有高耐压能力，漏源电压可达650V，适合用于高压电源转换器和工业电机控制设备。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定工作，增强了系统的可靠性和耐用性。
　　其封装形式为TO-220，具有良好的散热性能和机械强度，便于安装和使用。

应用

CS5N65FA9H广泛应用于各类高效率电源转换设备中，包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、电池充电器以及电机驱动控制系统。
　　在消费类电子产品中，它可用于电源管理模块，提升能效并减小设备体积。
　　在工业领域，该器件适用于变频器、伺服电机驱动器和不间断电源（UPS）等设备，确保稳定高效的电力供应。
　　此外，CS5N65FA9H也适用于新能源领域，如太阳能逆变器和风力发电设备中的功率转换模块。