时间：2025/10/7 4:33:18
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UPM2G2R2MPD是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的双通道N沟道功率MOSFET阵列，采用先进的Trench栅极工艺技术制造，专为高效率、低导通电阻和高速开关应用设计。该器件集成两个独立的N沟道MOSFET在单一封装内，非常适合空间受限且对功耗敏感的应用场景。其主要目标市场包括便携式电子设备、电池供电系统、电源管理单元、DC-DC转换器以及负载开关等。UPM2G2R2MPD的封装形式为超小型双侧引脚DFN2020封装（也称为PMDE），尺寸仅为2.0mm x 2.0mm，具有良好的热性能和紧凑的占位面积，适用于高密度PCB布局。该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。此外，它还具备优良的抗闩锁能力和高可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业级和消费类电子产品的严苛运行条件。
型号：UPM2G2R2MPD
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压(VDSS)：20V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：2.2A（单通道）
脉冲漏极电流(IDM)：8.8A
导通电阻(RDS(on))：24mΩ（@ VGS=4.5V, ID=1.1A）
导通电阻(RDS(on))：30mΩ（@ VGS=2.5V, ID=1.1A）
阈值电压(Vth)：0.6V ~ 1.0V
输入电容(Ciss)：330pF（@ VDS=10V）
输出电容(Coss)：140pF（@ VDS=10V）
反向传输电容(Crss)：30pF（@ VDS=10V）
栅极电荷(Qg)：5.8nC（@ VGS=4.5V）
体二极管反向恢复时间(trr)：17ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装：DFN2020(UMCP5)
安装类型：表面贴装(SMT)
UPM2G2R2MPD采用ROHM专有的Trench结构MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其最大RDS(on)在VGS=4.5V时仅为24mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统整体能效。由于采用了先进的晶圆加工技术，该器件在低栅极驱动电压下仍能保持良好导通能力，支持2.5V至4.5V逻辑电平驱动，兼容现代微控制器和低压控制IC的输出信号。
该器件具有快速开关响应能力，得益于较低的输入和输出电容以及优化的栅极电荷特性，使得其在高频DC-DC变换器中表现出色，可有效减少开关损耗并提升电源效率。同时，较短的体二极管反向恢复时间（trr=17ns）有助于抑制换向过程中的电流尖峰和电磁干扰（EMI），增强系统稳定性。
双通道独立配置允许灵活应用于同步整流、H桥驱动或双路负载开关等拓扑结构中。每个通道均可独立控制，便于实现复杂的电源管理策略。热增强型DFN2020封装不仅节省空间，还能通过PCB焊盘高效散热，确保长时间高负载运行下的可靠性。
此外，UPM2G2R2MPD具备出色的抗雪崩能力和稳健的ESD防护设计，提升了器件在瞬态过压和静电放电情况下的耐受性。其宽工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于恶劣环境下的工业控制、汽车电子外围电路及便携医疗设备等多种应用场景。
UPM2G2R2MPD广泛用于需要小型化和高能效的电源管理系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源开关和电池保护电路；在这些设备中，该器件可用于控制不同功能模块的供电通断，实现动态电源管理以延长续航时间。
在DC-DC转换器特别是降压（Buck）和升压（Boost）拓扑中，UPM2G2R2MPD可用作同步整流开关，替代传统肖特基二极管，大幅降低导通损耗，提高转换效率。其低RDS(on)和快速开关特性特别适合高频操作，有助于减小外部电感和电容尺寸，从而缩小整体电源模块体积。
此外，该器件也适用于电机驱动、LED背光驱动和H桥驱动电路，尤其是在微型马达或振动马达控制中表现优异。其双通道结构可以简化电路设计，减少元件数量，提升系统集成度。
在工业自动化和物联网节点设备中，UPM2G2R2MPD常被用作负载开关或热插拔控制元件，提供快速响应和过流保护能力。其高可靠性和紧凑封装使其成为各类嵌入式系统中理想的功率开关解决方案。
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"DMG2305UX",
"FDS6670A",
"AOZ5242AIJ",
"SI2302DDS",
"TPS22860DDCR"
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