UPM2F330MHD是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的P沟道功率MOSFET,采用先进的工艺技术制造,专为高效率、低功耗应用设计。该器件广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统以及需要高集成度和小尺寸封装的场合。UPM2F330MHD属于ROHM的UMD3系列封装产品,具有较小的占板面积,适合在空间受限的设计中使用。该MOSFET具备较低的导通电阻(Rds(on)),能够在低电压条件下实现高效的开关操作,减少能量损耗并提升整体系统效率。其主要特点包括高可靠性、良好的热稳定性以及优异的开关性能。由于采用了P沟道结构,该器件通常用于高端驱动配置,在电源管理电路中作为负载开关或DC-DC转换器中的同步整流元件。此外,UPM2F330MHD符合RoHS环保标准,并通过了AEC-Q101车规级认证,适用于汽车电子等对可靠性要求较高的领域。
型号:UPM2F330MHD
极性:P沟道
漏源电压(VDSS):-30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):-2.7A (TA=25°C)
脉冲漏极电流(IDM):-8.1A
导通电阻(Rds(on)):45mΩ (VGS=-10V, ID=-2.7A)
导通电阻(Rds(on)):60mθ (VGS=-4.5V, ID=-2.0A)
阈值电压(Vth):-1.0V ~ -2.0V
输入电容(Ciss):420pF (VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz)
输出电容(Coss):190pF
反向传输电容(Crss):40pF
栅极电荷(Qg):6.5nC (VDS=15V, ID=2.7A, VGS=-10V)
体二极管正向电压(VSD):-0.9V (IS=-0.5A)
工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
存储温度范围(Tstg):-55°C ~ +150°C
封装形式:UMD3 (SMT)
安装类型:表面贴装
UPM2F330MHD具备出色的电气性能和热稳定性,特别适用于需要高效能和紧凑布局的电源管理系统。其核心优势之一是低导通电阻,在VGS=-10V时仅为45mΩ,这显著降低了导通状态下的功率损耗,有助于提高系统的整体能效。同时,在VGS=-4.5V的较常见驱动条件下,Rds(on)也仅达到60mΩ,表明该器件在中等栅极驱动电压下仍能保持优良的导通能力,适用于由逻辑信号直接驱动的应用场景。器件的阈值电压范围为-1.0V至-2.0V,确保了稳定的开启与关断控制,避免因阈值漂移导致误动作。
该MOSFET采用UMD3小型化封装,尺寸约为2.0mm x 2.0mm x 0.75mm,极大节省PCB空间,非常适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备及其他便携式电子产品。尽管体积小巧,但其热性能经过优化设计,能够有效散热,保证长时间运行的可靠性。此外,输入电容Ciss为420pF,输出电容Coss为190pF,Crss为40pF,这些较低的寄生电容值有助于减少开关过程中的能量损耗,提升高频开关效率,适用于高达数百kHz的开关频率环境。
UPM2F330MHD还具备良好的抗雪崩能力和稳健的体二极管特性,VSD约为-0.9V,可在瞬态反向电流条件下提供保护作用。器件支持-55°C到+150°C的工作结温范围,适应严苛的工业和汽车级应用环境。通过AEC-Q101认证使其可用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动、电动门窗控制等汽车电子模块。此外,该器件具有±20V的栅源电压耐受能力,增强了对电压瞬变的容忍度,提升了系统鲁棒性。
UPM2F330MHD广泛应用于多个领域,包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表等,主要用于电池电源管理中的负载开关或反向电流阻断功能。在这些设备中,它能够实现快速响应的电源通断控制,延长电池续航时间。
在工业控制系统中,该器件可用于低电压DC-DC转换器的同步整流部分,替代传统的肖特基二极管以降低压降和发热,从而提升转换效率。此外,它也可用于电机驱动电路中的高端开关,控制直流电机或步进电机的启停与方向切换。
在汽车电子方面,得益于其AEC-Q101认证和宽温度工作范围,UPM2F330MHD适用于车身控制模块、车载传感器供电管理、车内照明调光电路以及电动车窗驱动系统。其高可靠性和小尺寸封装非常契合现代汽车电子对小型化和高集成度的需求。
此外,该器件还可用于各类电源适配器、充电器、USB供电接口的过流保护和热插拔控制电路中,提供安全可靠的电源路径管理。在物联网(IoT)设备中,如无线传感器节点、智能家居控制器等,UPM2F330MHD凭借其低静态功耗和高效开关特性,成为理想的电源开关选择。
DMG2305UX-7
SI2301ADS-T1-E3
FDC630P