容量：256Kbit (32K x 8)
　　电压范围：3.3V
　　访问时间：70ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：52引脚 TSOP
　　封装尺寸：18.4mm x 12.0mm
　　封装材料：塑料
　　最大工作频率：约14.28 MHz
　　输入/输出电平：TTL/CMOS 兼容
　　功耗（最大）：典型值为150mA（待机模式下低至10mA）

GM76C256CLLEFW-70 是一款高性能的 CMOS SRAM 芯片，具备多项显著的技术特性。首先，它的高速访问时间为 70ns，使得该芯片能够在高频应用中快速响应，提高系统的整体性能。其次，该芯片采用低功耗设计，在待机模式下的电流消耗可低至 10mA，非常适合对功耗敏感的应用场景，如便携式设备和嵌入式系统。
　　这款 SRAM 芯片的工作电压为 3.3V，具有良好的电压适应性和稳定性。其输入/输出电平兼容 TTL 和 CMOS 电平标准，使其能够方便地与其他数字电路连接，增强了系统的兼容性和灵活性。此外，该芯片的封装形式为 52 引脚 TSOP，尺寸为 18.4mm x 12.0mm，适合高密度 PCB 设计，同时具备良好的散热性能。
　　在工作温度方面，GM76C256CLLEFW-70 支持 -40°C 至 +85°C 的宽温范围，能够在恶劣的工业环境和高温条件下稳定运行，确保设备在各种环境下都能正常工作。该芯片的存储结构为 32K x 8，提供 256Kbit 的数据存储能力，适用于缓存、数据缓冲、临时存储等多种用途。

GM76C256CLLEFW-70 的高性能和低功耗特性使其广泛应用于多个领域。在通信设备中，该芯片可用于缓存数据和高速信号处理；在网络设备中，可作为数据包缓冲存储器，提高数据处理效率；在工业控制系统中，常用于存储临时数据和程序变量；此外，它还适用于嵌入式系统、测试设备和消费类电子产品，如智能家电和手持设备。

CY7C1009DV33-10ZSXI, IDT71V416SA10PFG, IS62WV2568EBLL-70B