时间：2025/10/7 19:29:58
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UPM1V560MED是一款由Unipower（友台半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、低导通电阻和快速开关性能的应用场景设计。该器件封装在小型化的SOP-8（表面贴装）封装中，适合空间受限的电源管理应用。其额定电压为20V，最大连续漏极电流可达17A，适用于低压DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中的功率控制模块。UPM1V560MED以其优异的热稳定性和可靠性，在消费电子、工业控制和便携式电子产品中得到广泛应用。该器件符合RoHS环保要求，并具备良好的抗静电能力（ESD保护），增强了在实际应用中的鲁棒性。由于其低栅极电荷和低输入电容特性，能够有效减少驱动损耗，提高系统整体能效。此外，该MOSFET具有较低的阈值电压，便于与逻辑电平信号直接接口，无需额外的电平转换电路，从而简化了设计复杂度并降低了系统成本。
型号：UPM1V560MED
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：20V
连续漏极电流(ID)：17A @ 25℃
脉冲漏极电流(IDM)：70A
栅源电压(VGS)：±12V
导通电阻(RDS(on))：5.6mΩ @ VGS=4.5V, ID=8.5A
导通电阻(RDS(on))：7.0mΩ @ VGS=2.5V, ID=6A
阈值电压(Vth)：0.6V ~ 1.0V
输入电容(Ciss)：920pF @ VDS=10V
输出电容(Coss)：580pF @ VDS=10V
反向传输电容(Crss)：100pF @ VDS=10V
栅极电荷(Qg)：13nC @ VGS=4.5V
功耗(PD)：2.5W
工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
封装形式：SOP-8
UPM1V560MED采用先进的沟槽式场效应晶体管结构，具备极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=4.5V条件下仅为5.6mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的转换效率。这种低RDS(on)特性尤其适用于大电流应用场景，如同步整流、电池管理系统和高密度电源模块。器件的阈值电压范围为0.6V至1.0V，属于低阈值类型，能够在较低的栅极驱动电压下实现快速导通，兼容3.3V或甚至更低的逻辑电平控制信号，避免了使用额外的电平移位电路，简化了驱动设计。
该MOSFET具有较高的开关速度，得益于其较小的输入电容（Ciss=920pF）和较低的栅极电荷（Qg=13nC），使得在高频开关应用中能够有效降低开关损耗，提升系统响应速度。这对于需要高频率工作的DC-DC变换器尤为重要，有助于减小外围电感和电容的尺寸，进而实现更紧凑的电源设计。同时，器件具备良好的热稳定性，SOP-8封装提供了较好的散热性能，允许在较高环境温度下持续工作。
UPM1V560MED还具备较强的抗雪崩能力和优良的体二极管反向恢复特性，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中提供一定的自我保护能力。其内部结构优化减少了寄生参数的影响，提高了器件在高频噪声环境下的抗干扰能力。此外，该器件通过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压测试（HTRB）、高温栅极偏压测试（HTGB）等，确保长期运行的稳定性与一致性。这些特性使其成为高性能、低成本电源解决方案的理想选择。
UPM1V560MED广泛应用于各类低电压、大电流的功率开关场合。常见于便携式电子设备中的电源管理单元，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电池充放电回路，作为负载开关或背光驱动的控制元件。在DC-DC降压变换器中，它常被用作同步整流器，替代传统肖特基二极管以提高效率，尤其是在多相VRM（电压调节模块）架构中表现出色。此外，该器件也适用于电机驱动电路，如微型直流电机、步进电机的H桥驱动，凭借其快速开关能力和低导通损耗，可有效提升驱动效率并减少发热。
在工业控制系统中，UPM1V560MED可用于继电器替代方案、固态开关、LED驱动电源及传感器供电模块。其SOP-8封装支持自动化贴片生产，适合大规模制造，且占用PCB面积小，有利于高密度布局。在USB电源开关、热插拔控制器、电源路径管理等需要快速响应和低静态功耗的应用中，该MOSFET也能发挥优势。由于其良好的ESD防护能力，可在复杂电磁环境中稳定运行，适用于车载电子辅助系统、智能家居控制板等对可靠性和耐用性要求较高的领域。总之，凡是需要高效、小型化、低功耗功率控制的场景，UPM1V560MED都是一个极具竞争力的选择。
APM1V560MEX, UPA1V560MED, Si2301DS, AON6260
