电容值：4.7μF
　　容差：±20%
　　额定电压：16V DC
　　温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C）
　　封装尺寸：0805（2012）
　　介质材料：陶瓷
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　直流电阻（DCR）：低阻抗设计
　　ESR（等效串联电阻）：低
　　ESL（等效串联电感）：低
　　老化率：≤2.5%/decade
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 C·V ≥ 1000Ω·F（取较大者）
　　耐压能力：可承受短时过压至额定电压的130%

UPM1K4R7MDD具有优异的电容稳定性与温度适应性，其X5R介电材料保证了在-55°C到+85°C的工作温度范围内电容值变化不超过±15%，这对于需要在复杂环境条件下保持电路性能稳定的系统至关重要。相比传统的Y5V材料，X5R在温度变化下的电容波动更小，从而提升了电源去耦和滤波电路的可靠性。此外，该电容器采用多层结构设计，能够在较小的物理尺寸内实现较高的电容密度，满足现代电子产品对小型化和轻薄化的需求。0805封装形式兼顾了焊接可靠性与空间利用率，适用于自动化贴片生产工艺。
　　该器件具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），使其在高频应用中表现出色，能够有效抑制高频噪声并提升电源系统的瞬态响应能力。这使得UPM1K4R7MDD非常适合用作开关电源输出端的滤波电容或数字IC的电源引脚去耦电容。同时，由于其非极性特性，无需考虑极性安装问题，简化了电路设计与生产流程。
　　在机械与环境可靠性方面，UPM1K4R7MDD通过了严格的测试认证，包括温度循环、湿度寿命、耐焊接热等实验，确保在回流焊过程中不会因热应力导致开裂或性能下降。其端电极通常采用镍阻挡层和锡外涂层（Ni-Sn），增强了抗腐蚀能力和可焊性，适用于无铅焊接工艺。此外，该产品符合RoHS环保指令要求，不含铅、镉、汞等有害物质，适用于出口型及环保合规产品设计。

UPM1K4R7MDD常用于各类需要中等容量、中低压滤波与去耦的电子电路中。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中，该电容被广泛用于处理器、传感器和无线模块的电源管理单元，提供稳定的局部供电并抑制高频干扰。在电源转换系统中，例如DC-DC变换器、LDO稳压器的输入输出滤波环节，其低ESR特性有助于减少纹波电压，提高电源效率。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC模块、人机界面（HMI）、传感器信号调理电路中的去耦与旁路功能，保障控制系统在恶劣电磁环境下的稳定运行。通信设备如路由器、交换机、基站模块也大量使用此类MLCC进行信号路径的耦合与去耦，以维持高速数据传输的完整性。
　　此外，在汽车电子系统中，虽然该型号不属于AEC-Q200认证器件，但仍可用于非关键性的车载信息娱乐系统、车内照明驱动或辅助电源模块中。对于研发与教育用途，UPM1K4R7MDD因其通用性强、价格低廉、供货充足，成为原型设计和教学实验中的常用元件之一。其综合性能平衡了成本、体积与电气特性，是工程师在电路设计中优先考虑的标准化被动元件之一。