时间：2025/10/7 21:20:47
阅读：10
UPM1H2R2MDD是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现为Qorvo的一部分）生产的高性能碳化硅（SiC）肖特基二极管。该器件采用先进的碳化硅材料技术制造，具有出色的热性能、高频工作能力和低开关损耗，适用于高效率电源转换系统。UPM1H2R2MDD属于其UPower系列，专为满足现代电力电子对更高效率、更小体积和更高功率密度的需求而设计。该二极管无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），因此在硬开关和软开关拓扑中均表现出优异的动态性能，显著降低开关应力和电磁干扰（EMI）。其高结温能力（通常可达175°C或更高）使其可在高温环境下稳定运行，减少了对复杂散热系统的依赖。该器件封装在紧凑的表面贴装D-Pak或类似封装中，便于PCB布局和自动化组装，广泛应用于工业电源、服务器电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及不间断电源（UPS）等高端电力电子设备中。
类型：碳化硅肖特基二极管
极性：单二极管
反向重复电压（VRRM）：1200 V
平均整流电流（IF(AV)）：2.2 A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：50 A
正向电压降（VF）：1.7 V（典型值，@ IF = 2.2 A, Tj = 25°C）
反向漏电流（IR）：250 μA（最大值，@ VR = 1200 V, Tj = 25°C）
反向恢复时间（trr）：0 ns（无反向恢复电荷）
工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +175 °C
封装类型：D-Pak（表面贴装）
热阻结到外壳（RθJC）：约 30 °C/W
安装方式：表面贴装
UPM1H2R2MDD的核心优势在于其采用碳化硅（SiC）半导体材料，这使其在性能上远超传统硅基PIN二极管。首先，该器件具备零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）的特性，这意味着在从导通状态切换到截止状态时，不会产生反向恢复电流尖峰。这一特性极大降低了开关过程中的能量损耗，尤其是在高频开关应用中，如图腾柱PFC、LLC谐振转换器和双向AC/DC变换器中表现尤为突出。由于没有反向恢复过程，系统中的电压振铃和电磁干扰（EMI）显著减少，从而简化了滤波电路设计，提高了整体系统的可靠性与效率。
其次，UPM1H2R2MDD具有极低的正向导通压降（VF），在额定电流2.2A下典型值仅为1.7V，即便在高温条件下，其VF增长也相对平缓，确保了在宽温度范围内保持高效能。此外，碳化硅材料本身具有更高的热导率和击穿电场强度，使得该二极管能够在高达175°C的结温下长期稳定工作，非常适合用于高温、高功率密度的应用场景，例如车载充电机（OBC）、光伏逆变器和工业电机驱动等。
再者，该器件的反向漏电流（IR）虽略高于硅器件，但在1200V高压下仍控制在250μA以内（25°C），且随温度升高增长可控。结合其高耐压能力（1200V），UPM1H2R2MDD适用于高输入电压系统，如三相工业电源和高压直流输配电系统。其D-Pak表面贴装封装不仅节省空间，还具备良好的热传导性能，便于通过PCB散热，支持自动化生产，提升制造效率。总体而言，UPM1H2R2MDD以其卓越的开关特性、高温稳定性和高可靠性，成为现代高效能电源系统中不可或缺的关键元件。
UPM1H2R2M2R2MDD广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中。在电源供应器领域，它常用于服务器电源、通信电源和工业开关电源中的输出整流或PFC（功率因数校正）级，特别是在图腾柱无桥PFC拓扑中，得益于其零反向恢复特性，可大幅提升系统效率并降低EMI噪声。在可再生能源系统中，该器件被用于太阳能光伏逆变器的直流侧续流或反并联二极管，帮助实现更高的能量转换效率和更长的系统寿命。在电动汽车相关应用中，UPM1H2R2MDD可用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的功率转换模块，支持高功率密度和高可靠性设计。此外，在不间断电源（UPS）和储能系统（ESS）中，该二极管用于电池充放电回路和DC-DC变换器中，提供快速响应和低损耗的整流功能。工业电机驱动、感应加热设备和高压DC-Link保护电路也是其典型应用场景。由于其具备高耐压、高温工作能力和紧凑封装，UPM1H2R2MDD特别适合空间受限但要求高性能的现代电力电子设计。
[
"UPM1H2R2MDT",
"UF3C12002D",
"SCH1200-2"
]
