类型：碳化硅肖特基二极管
　　极性：单二极管
　　反向重复电压（VRRM）：1200 V
　　平均正向电流（IF(AV)）：10 A
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：180 A
　　正向电压降（VF）：1.75 V（典型值，@ 10 A, 25°C）
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　反向漏电流（IR）：250 μA（最大值，@ 1200 V, 25°C）
　　封装类型：Power D2PAK（无引脚）
　　安装方式：表面贴装（SMT）
　　热阻结至外壳（RθJC）：1.2 °C/W
　　工作结温：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +175°C

UCS2W100MPDCNETD的核心特性之一是其基于碳化硅（SiC）材料的肖特基势垒结构，这一设计从根本上消除了传统硅基PIN二极管中存在的少子存储效应和反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）。这意味着在开关过程中不会产生反向恢复电流尖峰，从而大幅减少开关损耗，尤其是在高频硬开关拓扑如LLC谐振转换器、图腾柱PFC电路中表现尤为突出。该特性不仅提升了系统整体效率，还有效降低了电磁干扰（EMI），简化了滤波设计，提高了系统的电磁兼容性。此外，由于没有反向恢复带来的电流应力，与之配对的主开关器件（如MOSFET或IGBT）所承受的电压过冲和热应力也显著降低，延长了整个功率模块的使用寿命。
　　该器件具有出色的高温工作能力，最大结温可达+175°C，远高于传统硅二极管的150°C限制。这使得它在高功率密度设计中更具优势，可以在不牺牲可靠性的前提下减少散热器尺寸甚至实现无风扇冷却，进一步缩小系统体积并降低成本。同时，其正向电压降（VF）随温度变化较小，表现出良好的温度稳定性，在高温工况下仍能维持较低的导通损耗。UCS2W100MPDCNETD还具备极低的反向漏电流，在1200V额定电压下室温时仅为250μA，尽管漏电流会随温度升高而增加，但相较于同类产品仍处于较低水平，确保了在待机或轻载状态下的高能效。
　　Power D2PAK封装采用了无引脚设计，减少了封装内部的寄生电感和电阻，提升了高频响应能力，并增强了抗热机械应力的能力。该封装支持双面散热，可通过PCB背面进行高效热传导，特别适用于高功率密度的板级设计。此外，该器件通过AEC-Q101认证，表明其经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）、温度循环等，适用于车载充电机（OBC）、DC/DC转换器等汽车电子应用。综合来看，UCS2W100MPDCNETD以其零恢复特性、高耐压、高电流能力和卓越的热性能，成为现代高效电源系统中替代传统快恢复二极管和硅基PIN二极管的理想选择。

UCS2W100MPDCNETD主要应用于各类高效率、高频率的电力转换系统中。在数据中心和服务器电源领域，它被广泛用于图腾柱无桥PFC（功率因数校正）电路中作为升压二极管，凭借其零反向恢复特性显著提升全负载范围内的转换效率，满足80 PLUS钛金等超高能效标准的要求。在可再生能源系统中，特别是在光伏（PV）太阳能逆变器中，该二极管可用于直流链路续流或隔离式拓扑中的副边整流，提高系统效率并增强高温环境下的运行稳定性。在电动汽车相关应用中，该器件适用于车载充电机（OBC）和DC/DC高压转低压转换器，帮助实现更高的功率密度和更长的续航里程。
　　工业电源设备如焊接电源、激光电源和感应加热系统也大量采用此类碳化硅二极管，以应对高开关频率和高温挑战。此外，在不间断电源（UPS）系统中，UCS2W100MPDCNETD可用于逆变器级的续流路径，减少能量损耗并提升系统动态响应能力。通信基站的48V转12V或5G供电模块同样受益于其低损耗特性，有助于降低运营成本和碳排放。由于其具备AEC-Q101车规认证，因此在新能源汽车三电系统相关的辅助电源中也具备广泛应用前景。总体而言，凡是对效率、热管理和空间布局有严苛要求的中高功率应用场景，UCS2W100MPDCNETD均能提供可靠的解决方案。

UCS3D120B60