型号：UPJ2A1R5MDD
　　制造商：Vishay Siliconix
　　二极管类型：PIN二极管
　　最大直流反向电压（V_R）：200 V
　　最大平均整流电流（I_O）：200 mA
　　峰值正向浪涌电流（I FSM）：1 A
　　最大正向压降（V_F）：1.1 V @ 10 mA
　　最大反向漏电流（I_R）：1 μA @ 100 V
　　结温（T_J）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（T_stg）：-55 °C 至 +150 °C
　　电容（C_T）：0.4 pF @ 5 V, 1 MHz
　　电阻 - 开态（R_s）：0.8 Ω typical
　　封装/外壳：SOD-323

UPJ2A1R5MDD作为Vishay Ultra PIN?系列的一员，具备多项关键性能优势，使其在高频射频开关和衰减器应用中表现卓越。首先，其极低的结电容（典型值0.4 pF @ 5 V）显著降低了高频信号路径中的寄生效应，有助于提升系统的整体带宽和响应速度。在GHz级别的无线通信系统中，如5G基站前端模块或毫米波回传链路，这种低电容特性可有效减少信号反射和插入损耗，从而提高传输效率。
　　其次，该器件具有非常高的线性度和极低的互调失真（IMD），这是其Ultra PIN?技术的核心优势之一。通过精确控制P型和N型区域之间的本征层（I-layer）厚度与掺杂分布，UPJ2A1R5MDD能够在承受高射频功率时仍保持良好的信号完整性，避免产生有害的谐波干扰或邻道干扰，这对于多载波通信系统和高动态范围接收机至关重要。
　　再者，其快速开关速度得益于优化的载流子寿命管理，在正向偏置时能迅速导通，反向偏置时快速截止，实现毫微秒级的开关响应。这使得它非常适合用于T/R（收发）开关、RF功率控制环路和自动增益控制（AGC）电路中。此外，高达200V的反向击穿电压提供了充足的安全裕度，能够应对瞬态电压冲击，增强系统鲁棒性。
　　热稳定性方面，UPJ2A1R5MDD可在-55°C至+150°C的宽结温范围内可靠工作，适应从极寒户外环境到高温密闭设备舱的各种应用场景。SOD-323封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，结合低导通电阻（典型0.8Ω），进一步减少了功耗和热积累。综合来看，UPJ2A1R5MDD是一款面向高端射频系统的高性能PIN二极管，兼顾小型化、高效能与高可靠性。

UPJ2A1R5MDD主要应用于需要高性能射频开关、衰减和信号路由功能的电子系统中。在现代无线通信基础设施中，它被广泛用于蜂窝基站的天线调谐模块、双工器和开关矩阵，特别是在支持多频段操作的4G LTE和5G NR系统中，用于实现天线阻抗匹配和波束成形控制。由于其低电容和高线性度，该器件也常见于射频前端模块（FEM）中的发射/接收（T/R）开关，确保在高功率发射模式与高灵敏度接收模式之间快速、无损切换。
　　在雷达和电子战（EW）系统中，UPJ2A1R5MDD可用于构建高功率射频开关网络，用于波束切换、通道选择和信号路径隔离。其高击穿电压和优良的功率处理能力使其能够承受脉冲雷达中的高峰值功率信号而不发生性能退化或损坏。
　　此外，该二极管还适用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如射频加热、等离子体生成和MRI系统中的射频激励电路。在这些应用中，稳定的电气特性和长期可靠性是关键要求，UPJ2A1R5MDD的表现尤为突出。
　　测试与测量设备领域也是其重要应用方向，例如矢量网络分析仪（VNA）、频谱仪和信号发生器中的内部校准开关和衰减器阵列。在此类精密仪器中，器件的重复性和低失真是保证测量精度的基础，UPJ2A1R5MDD凭借其一致的制造工艺和稳定的参数表现，成为理想选择。

UMD2A1R5MDD
　　UMD2A1R5MEQ