型号：AF82US15WSLGFQ
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：SOT-26 (SC-74A)
　　极性：P-Channel
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：-1.9A
　　脉冲漏极电流（Idm）：-3.8A
　　导通电阻Rds(on)：-82mΩ @ Vgs = -4.5V
　　导通电阻Rds(on)：-105mΩ @ Vgs = -2.5V
　　导通电阻Rds(on)：-150mΩ @ Vgs = -1.8V
　　阈值电压（Vgs(th)）：-0.5V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：约220pF
　　输出电容（Crss）：约60pF
　　反向传输电容（Cres）：约55pF
　　开启时间（Ton）：约10ns
　　关闭时间（Toff）：约25ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻结到环境（RθJA）：约250°C/W
　　热阻结到外壳（RθJC）：约80°C/W

AF82US15WSLGFQ采用先进的TrenchFET工艺制造，这种技术通过优化沟道结构显著降低了导通电阻Rds(on)，从而提升了整体能效并减少了功率损耗。其在-4.5V栅极驱动下的典型Rds(on)仅为82mΩ，在低电压应用中表现出色，有助于提高电池供电系统的续航能力。同时，即使在较低的栅极驱动电压如-1.8V时，仍能保持相对较低的导通电阻（约150mΩ），这使得该器件非常适合用于由3.3V或更低逻辑电平直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换电路。
　　该MOSFET具备快速的开关响应能力，开启时间和关闭时间分别约为10ns和25ns，使其在高频开关操作中表现优异，可用于DC-DC转换器、同步整流等需要快速切换的应用场合。此外，其输入电容和输出电容较小，进一步降低了驱动所需的能量，提高了系统效率。
　　SOT-26封装不仅体积小（典型尺寸约为2.9mm x 1.6mm x 1.1mm），还提供了良好的散热性能和机械稳定性，便于自动化贴片生产，适用于大规模SMT组装流程。器件的工作结温可达+150°C，确保在高温环境下依然可靠运行，适用于严苛的工业和汽车电子环境。
　　AF82US15WSLGFQ内置体二极管，具有一定的反向电流承载能力，可在特定条件下提供续流路径。该体二极管具有较快的恢复速度，有助于减少反向恢复损耗，提升整体系统效率。此外，该器件具有较强的抗静电（ESD）能力，增强了在实际使用中的鲁棒性。
　　总体而言，AF82US15WSLGFQ以其低导通电阻、小封装、高效率和良好的热性能，成为现代便携式电子设备中理想的P沟道MOSFET选择，尤其适用于需要节能、小型化和高集成度的设计方案。

AF82US15WSLGFQ广泛应用于多种低电压、高效率的电源管理系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的负载开关，例如智能手机和平板电脑中的LCD背光控制、摄像头模块供电管理以及外设电源通断控制。在这些应用中，该MOSFET可以实现对不同功能模块的独立上电和断电，有效降低待机功耗，延长电池使用寿命。
　　在电池供电设备中，如蓝牙耳机、智能手表和其他可穿戴设备，AF82US15WSLGFQ常被用作主电源开关或电池隔离开关，以防止设备在关机状态下发生不必要的漏电。其低静态电流和快速响应特性使其非常适合这类对能耗极为敏感的应用场景。
　　此外，该器件也适用于低压DC-DC转换器中的同步整流电路，特别是在Buck转换器的高端开关位置，能够替代传统的二极管以减少压降和发热，从而提高电源转换效率。在多电源轨系统中，它还可用于电源多路复用或电源优先级选择电路，实现主辅电源之间的无缝切换。
　　工业控制领域中的一些小型传感器模块、数据采集系统和嵌入式控制器也会采用该器件进行局部电源管理。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，即使在复杂电磁环境中也能稳定工作。
　　在USB供电接口、充电管理单元和LDO后级开关电路中，AF82US15WSLGFQ同样发挥着重要作用，能够实现精确的电源控制和过流保护功能。凭借其小型封装和高性能表现，该MOSFET已成为现代高密度PCB设计中不可或缺的关键元件之一。

DMG2302UK-7
　　Si2302ADS-S16-ND
　　FDC630P
　　NTR2P02X