型号：UPJ1J560MPD
　　类型：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：-100 mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-400 mA
　　导通电阻RDS(on)：-1.8 Ω @ VGS = -10 V
　　导通电阻RDS(on)：-2.3 Ω @ VGS = -4.5 V
　　阈值电压（Vth）：-1.0 V ~ -2.0 V
　　输入电容（Ciss）：约 120 pF
　　输出电容（Coss）：约 40 pF
　　反向恢复时间（trr）：未指定体二极管快速恢复
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerPAK SC-70 (SOT-457)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　通道数：单通道
　　极性：增强型

UPJ1J560MPD采用Vishay成熟的TrenchFET工艺技术，这种先进的制造工艺能够显著降低器件的导通电阻，同时提升单位面积下的电流处理能力。其P沟道结构使其在高端开关应用中尤为适用，无需额外的电荷泵电路即可实现有效的栅极驱动控制。该器件在VGS = -10 V时的典型RDS(on)仅为1.8 Ω，在VGS = -4.5 V时也仅为2.3 Ω，这使得它在低电压、低功耗系统中具备出色的能效表现。低RDS(on)意味着更少的I2R损耗，有助于延长电池寿命并减少散热需求。
　　该MOSFET的阈值电压范围为-1.0 V至-2.0 V，确保了在多种输入电压条件下都能可靠开启，避免因阈值漂移导致的误动作。其输入电容约为120 pF，输出电容约为40 pF，较小的电容值有利于实现更快的开关速度，降低动态损耗，适用于高频开关操作。此外，该器件具备良好的热稳定性，PowerPAK SC-70封装优化了热传导路径，使结到环境的热阻更低，提升了高温环境下的可靠性。
　　UPJ1J560MPD还具有较强的抗雪崩能力和良好的ESD防护性能，增强了在复杂电磁环境中的鲁棒性。其小型化封装不仅节省PCB空间，而且与自动化贴片工艺兼容，便于大规模生产。器件符合AEC-Q101可靠性标准（若用于汽车级应用需确认具体批次），支持无铅回流焊工艺，满足现代绿色电子制造的要求。总体而言，UPJ1J560MPD是一款集高性能、小尺寸和高可靠性于一体的P沟道MOSFET，特别适合对空间和效率有严格要求的应用场景。

UPJ1J560MPD广泛应用于各类便携式电子设备中的电源管理和信号切换功能。例如，在智能手机和平板电脑中，常用于电池供电系统的负载开关或电源路径控制，实现不同电源域之间的隔离与通断，有效防止反向电流和短路风险。在低功耗微控制器单元（MCU）或传感器模块的供电管理中，该器件可用于实现按需上电，以降低待机功耗，延长续航时间。
　　此外，该MOSFET适用于DC-DC转换器中的同步整流或高端开关配置，尤其在反激式或降压拓扑中作为控制开关使用。由于其具备良好的开关特性和较低的栅极电荷，能够减少驱动损耗，提升转换效率。在电机驱动电路中，UPJ1J560MPD可用于小型直流电机的方向控制或启停控制，尤其是在玩具、微型风扇或家用电器中。
　　该器件也可用于过压或过流保护电路中的开关元件，配合比较器或监控IC实现自动切断功能。在热插拔电路设计中，其缓慢开启特性可通过外部RC网络调节，限制浪涌电流，保护后级电路。由于其封装小巧且性能稳定，还常见于可穿戴设备、蓝牙耳机、智能手表等高度集成的消费类电子产品中，承担电源多路复用、背光控制、USB端口电源管理等功能。

SI2301, DMG2301U, FDMC8626, BSS84