型号：UPG90N60E
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：90A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：360A
　　功耗（Pd）：300W
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.095Ω @ Vgs=10V
　　栅源阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：240nC typical
　　输入电容（Ciss）：6000pF typical
　　输出电容（Coss）：350pF typical
　　反向恢复时间（trr）：55ns typical
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

UPG90N60E具备多项优异的电气与热力学特性，使其在高压大电流应用中表现卓越。首先，其低导通电阻（Rds(on) ≤ 0.095Ω）显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统效率，尤其在持续高负载运行时优势明显。该特性得益于先进的芯片工艺与优化的元胞设计，在保证高击穿电压的同时实现了更低的比导通电阻。其次，器件拥有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达90A，并可在短时间内承受高达360A的脉冲电流，适用于瞬态负载变化剧烈的应用场景。
　　在开关性能方面，UPG90N60E表现出良好的动态响应能力。其栅极电荷（Qg）为240nC，属于同类产品中较低水平，有助于降低驱动损耗并提高开关频率，适用于高频PWM控制电路。配合较低的输入与输出电容（Ciss和Coss），可减少充放电时间，加快开关速度，从而进一步提升能效。同时，其体二极管的反向恢复时间（trr）控制在55ns左右，有效减少了反向恢复过程中的能量损耗与电压尖峰，降低了电磁干扰风险。
　　热性能方面，UPG90N60E采用TO-247封装，具有优异的热传导能力，结到壳的热阻（Rth(j-c)）较低，能够将芯片产生的热量高效传递至外部散热系统。其最大工作结温可达150°C，支持宽温区稳定运行，适用于高温工业环境。此外，器件通过了严格的可靠性测试，具备良好的抗雪崩能力和长期稳定性，能够在电压突变或负载短路等异常工况下保持安全运行。
　　安全性与保护特性方面，UPG90N60E内置的栅氧层经过强化处理，提升了抗过压与静电放电（ESD）能力，避免因误操作或瞬态电压冲击导致损坏。整体设计符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品制造。

UPG90N60E广泛应用于各类高功率电子系统中，尤其是在需要高效能、高可靠性的电源管理领域。常见应用包括：开关模式电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、DC-DC升压/降压变换器、逆变器（如太阳能逆变器、UPS不间断电源）、电机驱动控制器以及工业自动化设备中的主开关元件。此外，它也被用于空调压缩机驱动、电焊机电源模块、LED大功率驱动电源以及电动汽车充电模块等对效率和稳定性要求较高的场合。
　　在PFC电路中，UPG90N60E常作为有源开关管使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来减少能量损耗，提高功率因数，满足能源效率标准。在半桥或全桥拓扑结构中，该器件可用于构建高频逆变单元，将直流电转换为交流电输出，适用于感应加热、变频驱动等应用。由于其具备较强的电流冲击耐受能力，也适合用于启动电流较大的电机控制系统中。
　　在通信电源、服务器电源等高密度电源系统中，UPG90N60E因其高功率密度和良好的热管理特性而被广泛采用。其稳定的电气参数和长寿命设计，使其成为工业级电源产品的理想选择。此外，随着节能环保趋势的发展，该器件也在逐步替代传统IGBT，在部分中等频率应用中展现出更高的效率优势。

IPW90N60C3
　　FGA90N60SMD
　　STGP90N60HD
　　KSE90N60