时间：2025/3/28 9:11:43
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UPD43256BGW-B12 是由 NEC（现为 Renesas）生产的一款 CMOS 静态 RAM（SRAM）芯片。该芯片主要用作高速缓存存储器或临时数据存储单元，适用于需要快速访问和低延迟的场景。
它采用静态存储技术，无需刷新操作即可保持数据完整性，具有高可靠性和低功耗的特点。UPD43256BGW-B12 以其卓越的性能和稳定性在嵌入式系统、工业控制以及通信设备中得到了广泛应用。
容量：64K x 8 bits (512KB)
工作电压：4.5V ~ 5.5V
访问时间：15ns
封装形式：44-pin Plastic Quad Flat Pack (PQFP)
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
接口类型：并行
1. 高速访问能力：具备 15 纳秒的典型访问时间，能够满足对速度要求极高的应用需求。
2. 低功耗设计：在待机模式下功耗显著降低，非常适合电池供电的设备。
3. 静态存储技术：无需定期刷新，数据可以长期保存，直到电源关闭。
4. 宽工作电压范围：支持 4.5V 到 5.5V 的电压输入，适应多种电源环境。
5. 工业级温度范围：能够在 -40°C 至 +85°C 的环境下稳定运行，确保在恶劣条件下仍能正常工作。
6. 并行接口：提供高效的并行数据传输方式，易于与微控制器或其他外设集成。
这些特性的结合使得 UPD43256BGW-B12 成为需要高可靠性、高速度和低功耗的嵌入式系统及工业应用的理想选择。
1. 嵌入式系统的高速缓存存储器。
2. 工业控制设备中的临时数据缓冲区。
3. 通信设备的数据暂存和处理。
4. 图形显示缓冲区，用于存储图像数据以提高渲染速度。
5. 医疗设备中的关键数据存储。
6. 测试测量仪器中的高速数据采集和暂存。
由于其高可靠性、快速访问能力和宽温工作范围，UPD43256BGW-B12 在需要高效数据管理的领域表现尤为突出。
UPD43256BPC-B12
AS6C4008
CY62256LLC-15ZTI
IS61LV5128AL-15BLI
