时间：2025/7/23 17:43:09
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UPD4265160G5-A60 是一款由Renesas Electronics生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于异步SRAM类别。该器件以其高速度、低功耗和高可靠性著称，广泛应用于通信、工业控制、网络设备和消费类电子产品中。该SRAM具有16位数据总线和1MB的存储容量（128K x 16），并采用高性能CMOS工艺制造，确保了稳定的性能和广泛的适用性。
容量：2 Mbit
组织：256K x8
电源电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：55 ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：并行异步
封装尺寸：54引脚
数据保持电压：1.5V
最大工作频率：18 MHz
功耗：典型值 150 mA（待机模式下低至 10 mA）
UPD4265160G5-A60 采用先进的CMOS技术，具有出色的低功耗特性，同时在高速访问方面表现出色。其异步控制引脚（如片选CE、写使能WE和输出使能OE）使得该器件能够与各种微处理器和控制器无缝兼容。该SRAM的访问时间仅为55ns，适合需要快速数据存取的应用场景。此外，该芯片具备宽电压工作范围（2.3V至3.6V），提高了在不同电源环境下的适应能力。
其封装采用54引脚TSOP设计，适合高密度PCB布局。工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，确保了在工业级环境中的稳定运行。在待机模式下，芯片的功耗可降至最低10mA，非常适合需要节能的应用。此外，该芯片还支持数据保持模式，即使在电压下降至1.5V时仍可保持存储数据，增强了系统设计的灵活性。
该SRAM还具备出色的抗干扰能力和稳定性，确保在复杂电磁环境下仍能可靠运行。同时，其标准的并行接口设计简化了系统集成过程，降低了开发难度和时间成本。
UPD4265160G5-A60 SRAM芯片适用于多种高性能系统，包括网络交换设备、工业自动化控制器、嵌入式系统、数据采集设备和便携式电子设备。由于其高速访问时间和低功耗特性，该器件也常用于图像处理模块、通信基站和实时控制系统等场景。在需要快速临时存储和频繁数据读写的应用中，该SRAM表现出色。
IS61LV25616-55BLL，CY62148EVLL-45ZSXI，IDT71V416SA55B，AS7C3256-55BC
