PHNR-08-H 时间：2025/12/27 15:27:53 阅读：16

PHNR-08-H是一款高性能、低功耗的非易失性SRAM（NV SRAM）存储器芯片，由Cypress Semiconductor（现为英飞凌Infineon Technologies的一部分）生产。该器件结合了标准SRAM的高速读写性能与非易失性存储特性，能够在系统断电时自动将SRAM中的数据保存到内部集成的非易失性存储阵列中，并在上电时自动恢复数据。PHNR-08-H采用高度可靠的SuperCapacitor辅助电源管理技术或外部锂电池支持，确保数据在电源故障期间能够完整保存。该芯片广泛应用于工业控制、医疗设备、网络通信、自动化系统以及需要频繁数据记录和高可靠性数据保存的场合。其封装形式为44引脚SOJ（Small Outline J-Lead），符合工业级温度范围要求，具备良好的环境适应性和长期稳定性。PHNR-08-H的设计目标是提供一种无需软件干预即可实现数据非易失化的解决方案，从而简化系统设计并提高整体可靠性。

参数

类型：NV SRAM
　　容量：8 Kbit (1K x 8)
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　工作电流：典型值 70mA（读取模式）
　　待机电流：最大值 200μA
　　存取时间：最大 55ns
　　数据保持时间：典型值10年（在无电源条件下）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：44-pin SOJ
　　写保护功能：硬件WP引脚支持
　　自定时存储周期：支持自动存储和检索
　　电源监控电路：内置POR（上电复位）和低电压检测功能

特性

PHNR-08-H的核心特性在于其独特的非易失性数据保护机制。它集成了一个标准的高速CMOS静态RAM与一个非易失性存储单元，通过专用的控制逻辑实现无缝的数据存储与恢复操作。当系统检测到供电电压下降至预设阈值以下时，芯片内部的电源监控电路会触发自动存储序列，将SRAM中的当前数据复制到非易失性存储区。此过程无需任何外部处理器干预，完全由硬件完成，确保即使在突发断电情况下也能可靠保存关键数据。一旦电源恢复正常，芯片会在初始化阶段自动执行数据恢复操作，将之前保存的内容重新加载回SRAM中，使系统能够从断点处继续运行，极大提升了系统的容错能力和连续性。
　　该器件还支持手动存储命令，用户可通过激活特定引脚（如STORE引脚）来主动触发数据保存操作，适用于需要定期归档或确认数据持久化的应用场景。此外，PHNR-08-H具备写保护功能，通过WP（Write Protect）引脚可防止意外写入或擦除操作，增强数据安全性。其高速访问能力（最快达55ns）使其性能接近普通SRAM，在不牺牲速度的前提下实现了非易失性，特别适合用于缓存重要状态信息、日志记录、配置参数存储等对实时性和可靠性要求极高的系统模块。
　　PHNR-08-H采用工业标准接口，兼容通用SRAM时序，便于替换传统SRAM而无需修改主板设计或固件逻辑。同时，其支持多种电源备份方案，包括超级电容器和锂电池，适应不同的产品生命周期和维护策略。整体设计注重可靠性与耐用性，经过严格的测试验证，可在恶劣环境下长期稳定运行，满足工业级应用需求。

应用

PHNR-08-H常用于各类需要高可靠性数据存储的嵌入式系统中。典型应用包括工业PLC控制器中的运行状态缓存，用于在断电后快速恢复生产流程；医疗设备中用于保存患者治疗参数和设备校准数据，确保安全合规；通信基站和路由器中用于记录配置信息和故障日志，提升维护效率；金融终端如POS机中用于交易缓冲存储，防止交易数据丢失；以及测试测量仪器中用于临时数据采集和存储。由于其无需电池更换的设计选项（配合超级电容），也适用于难以维护或部署在远程位置的设备。此外，在航空航天与轨道交通领域，该芯片也被用于关键数据的瞬时保存，以应对复杂的供电环境。其快速读写和非易失性双重优势，使其成为替代EEPROM、Flash及带电池SRAM的理想选择，尤其在写入耐久性和速度方面具有显著优势。