UPC8128TB是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和功率管理应用。该器件采用了先进的制造工艺,能够提供高效率、低损耗的性能表现,广泛应用于工业及消费类电子领域。
该芯片的特点在于其优秀的导通电阻特性和快速的开关速度,使其非常适合需要高效能转换的应用场景。此外,它还具有良好的热稳定性和抗浪涌能力,确保了在各种复杂工作环境下的可靠运行。
型号:UPC8128TB
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源极击穿电压):60V
RDS(on)(导通电阻):15mΩ
ID(连续漏极电流):30A
Ptot(总功耗):75W
栅极电荷:20nC
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-220
UPC8128TB具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻RDS(on),有助于减少导通时的功率损耗,提升系统效率。
2. 快速开关速度,适合高频开关应用。
3. 高电流承载能力,可支持高达30A的连续漏极电流。
4. 宽泛的工作温度范围,从-55°C到+175°C,适应多种极端环境。
5. 具备较强的抗静电能力,提高了产品使用的可靠性。
6. 封装采用标准TO-220形式,易于安装和散热设计。
这些特点使得UPC8128TB成为众多功率控制电路的理想选择,特别是在要求高效率和高可靠性的场合。
UPC8128TB主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 直流电机驱动电路中的功率控制。
3. 电池保护电路中作为电子开关使用。
4. 工业自动化设备中的负载切换控制。
5. 汽车电子系统中的功率管理。
6. 各种适配器和充电器设计。
由于其出色的电气特性和热稳定性,UPC8128TB能够在上述应用场景中表现出色,满足现代电子产品对高效能和可靠性的需求。
IRFZ44N
FDP5580
STP30NF06L