时间：2025/12/27 7:37:33
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UPC8026L-S08-R是NEC（现为瑞萨电子）推出的一款低噪声、高增益的硅锗（SiGe）射频放大器芯片，广泛应用于无线通信系统中的接收前端。该器件采用先进的SiGe工艺制造，具备优异的高频性能和低功耗特性，适用于工作在数百MHz至数GHz频段的应用场景。UPC8026L-S08-R封装形式为小型化表面贴装SOT-89-3L（或类似），适合对空间要求较高的便携式设备。该芯片内部集成了偏置电路，简化了外围设计，并可通过外部电阻调节工作电流以优化噪声系数与增益之间的平衡。其高线性度和良好的输入输出匹配特性使其能够在不增加额外匹配网络的情况下直接集成到射频链路中，从而降低系统复杂性和整体成本。此外，该器件具有良好的温度稳定性，可在较宽的温度范围内保持稳定的增益和噪声性能，适用于工业级和消费类电子产品。由于其出色的射频性能和可靠性，UPC8026L-S08-R常用于无线局域网、蓝牙模块、ZigBee、GPS接收机以及各类ISM频段无线收发系统中。
型号：UPC8026L-S08-R
制造商：NEC / Renesas Electronics
封装类型：SOT-89-3L
工作频率范围：100 MHz ~ 4 GHz
增益典型值：17.5 dB @ 2.4 GHz
噪声系数典型值：1.0 dB @ 2.4 GHz
输出P1dB压缩点：+10 dBm
IIP3三阶交调截点：+25 dBm
工作电压范围：2.7 V ~ 5.5 V
静态电流典型值：12 mA
关断功能：无（持续工作型）
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
输入/输出阻抗：50 Ω（内部匹配）
集成偏置电路：是
UPC8026L-S08-R具备卓越的低噪声放大能力，其噪声系数在2.4 GHz频段下典型值仅为1.0 dB，能够显著提升接收系统的灵敏度，尤其适用于微弱信号放大的应用场景。该芯片采用了高性能的硅锗（SiGe）异质结双极晶体管技术，相较于传统的GaAs或CMOS工艺，在增益、噪声和功耗之间实现了更优的平衡。其高达17.5 dB的增益确保了在单级放大结构中即可实现足够的信号提升，减少了多级放大带来的复杂性和稳定性问题。
该器件的输入和输出端口均经过内部匹配至50欧姆，极大简化了射频电路的设计流程，降低了对精密匹配元件的需求，有助于缩短产品开发周期并提高量产一致性。同时，其良好的反向隔离性能有效防止了输出信号反馈至输入端，提升了系统的稳定性，避免自激振荡的发生。
UPC8026L-S08-R的工作电压范围宽达2.7V至5.5V，兼容3.3V和5V供电系统，适用于多种电源环境下的嵌入式设计。其静态电流仅为12mA左右，在保持高性能的同时实现了较低的功耗，适合电池供电的便携式无线设备使用。尽管不支持关断模式，但其持续工作特性保证了信号链的连续性和响应速度。
该芯片具有出色的线性度表现，IIP3达到+25dBm，表明其在强干扰环境下仍能保持良好的动态范围和抗干扰能力，减少互调失真对接收质量的影响。此外，它在整个工作温度范围内表现出稳定的增益特性和噪声性能，确保在不同环境条件下系统性能的一致性。综合来看，UPC8026L-S08-R是一款高性能、易用性强且可靠性高的射频低噪声放大器，特别适合用于高集成度无线通信前端设计。
UPC8026L-S08-R主要用于各种高频无线接收系统中作为前置低噪声放大器（LNA）。其典型应用包括但不限于2.4GHz ISM频段的无线通信设备，如Wi-Fi（IEEE 802.11b/g/n）、蓝牙和ZigBee模块，在这些系统中用于增强接收到的微弱射频信号，提高整体接收灵敏度和通信距离。
该芯片也广泛应用于GPS/GLONASS等卫星导航接收机前端，凭借其低噪声系数和高增益特性，能够有效放大来自天线的微弱卫星信号，提升定位精度和冷启动速度。此外，在无线传感器网络、远程遥测终端、智能家居控制节点等低功耗无线系统中，UPC8026L-S08-R同样发挥着关键作用。
在工业、科学和医疗（ISM）频段使用的专有无线收发器中，例如315MHz、433MHz、868MHz和915MHz频段的产品，该器件也能提供稳定可靠的放大性能。它还可用于UHF频段的RFID读写器、无线音频传输设备以及小型化软件定义无线电（SDR）平台。
由于其宽频带响应能力，UPC8026L-S08-R也可作为通用型宽带射频放大器用于测试仪器、信号中继器和天线分配系统中。其小型化封装和无需复杂匹配的设计特点，使其非常适合空间受限的便携式设备和高密度PCB布局场景。
RBM9226-L1,RMPA0321N,MAX2641,ECLYPSE MGA-86578
