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HM62W16255CLTT12 发布时间 时间:2025/9/7 5:12:17 查看 阅读:14

HM62W16255CLTT12 是由Hitachi(现为Renesas)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于异步SRAM类别。该器件具有16位数据宽度和256K地址空间,总容量为4兆位(512K × 8位或256K × 16位)。它采用CMOS工艺制造,具有高速访问时间和低功耗特性,适用于需要高性能数据存储和快速存取的嵌入式系统和工业设备。

参数

容量:4Mbit(256K × 16)
  访问时间:12ns
  电源电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  数据宽度:16位
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:54引脚 TSOP
  最大工作频率:约83MHz(基于访问时间)

特性

HM62W16255CLTT12 是一款专为高性能应用设计的低功耗CMOS SRAM芯片。该芯片具有12ns的快速访问时间,能够在高速系统中提供稳定可靠的数据读写能力。其工作电压为3.3V,符合现代低功耗设计趋势,同时支持工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),适用于严苛环境下的工业和通信设备。其采用54引脚TSOP封装,具有较小的封装尺寸和良好的热稳定性,便于在高密度PCB设计中使用。此外,该SRAM具备自动省电模式,在未被访问时可自动进入低功耗状态,从而降低整体系统功耗。
  该器件的16位数据总线接口提高了数据吞吐能力,适用于需要大量高速数据缓冲的应用场景,如图像处理、嵌入式控制器、工业自动化设备和网络通信模块。其异步控制接口兼容多种处理器和控制器,简化了系统集成的复杂度,并提升了系统的兼容性和灵活性。

应用

HM62W16255CLTT12 主要应用于需要高速、低功耗存储解决方案的嵌入式系统和工业设备中。例如,该芯片可作为高性能微控制器系统的外部高速缓存,用于图像处理设备中的帧缓冲存储器,也可作为通信设备中的临时数据存储单元,用于网络交换机和路由器中的数据包缓存。此外,该SRAM还广泛用于测试设备、工业自动化控制器、便携式仪器以及高端消费类电子产品中,满足对数据访问速度和稳定性有较高要求的应用场景。

替代型号

IS62WV256168ALLB12TF, CY62167VLL12ZE3, IDT71V416S12PF, AS7C34098A-12TC

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