H26M64002DQR 时间：2025/9/2 10:20:29 阅读：8

H26M64002DQR 是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片设计用于提供高速数据存储和访问功能，广泛应用于计算机系统、嵌入式设备以及需要大容量内存的电子设备中。H26M64002DQR的具体规格表明其适用于需要高性能和可靠性的应用场景。

参数

容量：64MB
　　数据宽度：16位
　　封装类型：TSOP
　　工作电压：3.3V
　　访问时间：5.4ns
　　时钟频率：166MHz
　　封装尺寸：54引脚
　　工作温度范围：-40°C至85°C

特性

H26M64002DQR具有多个显著特性，包括高速访问时间和低功耗设计，这使其非常适合用于需要快速数据处理的应用。该芯片采用TSOP（薄型小外形封装）技术，有助于减少电路板空间占用并提高设备的散热性能。此外，H26M64002DQR支持自动刷新功能，以确保数据的长期稳定性，并具有良好的抗干扰能力，能够在恶劣环境下保持稳定运行。
　　芯片的5.4ns访问时间意味着其能够快速响应处理器的请求，从而提升整体系统性能。同时，其工作电压为3.3V，相较于传统5V内存芯片，功耗更低，适合便携式设备和对功耗敏感的设计。H26M64002DQR还具备较宽的工作温度范围（-40°C至85°C），使其能够在工业级环境中稳定运行。

应用

H26M64002DQR通常应用于需要较高内存性能的设备，如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、图形加速器和老式计算机系统。由于其高速存取能力和较低的功耗，这款DRAM芯片也被广泛用于消费类电子产品，如打印机、数码相机和多媒体播放器。此外，该芯片也可用于网络路由器和交换机等通信设备中，以提高数据处理和缓存能力。