时间：2025/9/16 5:12:40
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MGA-645T6是一款由Avago Technologies（安华高）生产的高性能砷化镓（GaAs）低噪声放大器（LNA），广泛应用于无线通信系统中的射频前端。该器件采用InGaP HBT工艺制造，具有优异的噪声系数和高线性度，适用于蜂窝基站、无线本地环路、微波通信等多种射频接收系统。
类型：低噪声放大器（LNA）
工艺：InGaP HBT
封装形式：TSSOP
工作频率范围：0.5 GHz至6 GHz
噪声系数：0.65 dB（典型值）
增益：21 dB（典型值）
输出IP3：+22 dBm（典型值）
工作电压：+5 V
工作电流：80 mA（典型值）
输入/输出阻抗：50Ω
温度范围：-40°C至+85°C
MGA-645T6具有多项优异的电气特性，适用于高性能射频接收系统。其低噪声系数（0.65 dB）确保了微弱信号的高保真放大，提高了系统的接收灵敏度。该器件提供21 dB的高增益，能够在不引入显著噪声的情况下显著增强输入信号。此外，其输出三阶交调截点（OIP3）达到+22 dBm，表现出良好的线性度，有助于减少多信号环境下的互调干扰。
MGA-645T6的工作频率范围覆盖0.5 GHz至6 GHz，适用于多种无线通信标准，包括GSM、CDMA、WCDMA、WiMAX、LTE等。该器件采用+5 V单电源供电，工作电流为80 mA（典型值），在保持高性能的同时实现了较低的功耗。其内部集成输入/输出匹配电路，减少了外围元件数量，简化了电路设计。
该放大器具备良好的稳定性和抗干扰能力，在不同工作条件下均能维持稳定的性能表现。其TSSOP封装形式便于表面贴装，适用于自动化生产流程。MGA-645T6的温度工作范围为-40°C至+85°C，适用于各种严苛的工业和通信环境。
MGA-645T6主要应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、无线接入点、微波通信系统等射频接收前端。其高频段覆盖能力使其适用于WiMAX、LTE、5G预研等新一代无线通信系统。此外，该器件也广泛用于测试与测量设备、医疗成像设备、航空航天与国防通信系统等高性能射频接收设备中。由于其低噪声、高线性度和宽频带特性，MGA-645T6也非常适合用于多频段通信设备、频谱分析仪、射频模块以及需要高灵敏度信号接收的各类应用。
MGA-645P6, MGA-635P6, ALM-64517, ATF-54143
