时间：2025/8/24 13:47:00
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IRFS452 是由 Infineon Technologies 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高电流和高功率的应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供出色的导通性能和低的开关损耗，使其在电源管理和功率转换系统中表现出色。
类型: N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 (Vds): 25V
栅源电压 (Vgs): ±20V
漏极电流 (Id): 140A (最大值)
导通电阻 (Rds(on)): 3.3mΩ @ Vgs = 10V
工作温度范围: -55°C ~ 175°C
封装类型: TO-220
功率耗散 (Ptot): 160W
IRFS452 MOSFET 采用先进的沟槽技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通损耗。
在高温环境下，该器件仍能保持稳定的性能，其工作温度范围可达 -55°C 至 175°C。
该 MOSFET 的封装设计提供了良好的散热性能，适用于需要高功率密度的应用场景。
IRFS452 的高速开关特性使其在 DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理系统中表现出色。
由于其低栅极电荷（Qg）特性，该器件能够减少开关损耗，提高整体效率。
此外，IRFS452 还具备较高的耐用性和可靠性，适合工业和汽车应用中的严苛环境条件。
IRFS452 常用于高性能电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关电路。
在电机驱动和电动工具中，该 MOSFET 提供了高效的功率控制能力。
它也广泛应用于电池管理系统、UPS（不间断电源）和储能系统中。
在工业自动化和电机控制领域，IRFS452 是高电流开关的理想选择。
由于其高可靠性和优异的热性能，该器件还被用于汽车电子系统，如车载充电器和电动助力转向系统。
IRF1405, IRF1407, IRF1404, IRF1406
