UPC29M33T-E1 时间：2025/6/18 12:49:04 阅读：5

UPC29M33T-E1 是一款高性能的 N 沆道场效应晶体管（N-Channel MOSFET），广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于对效率和性能要求较高的应用环境。
　　该型号的封装形式通常为 TO-263（DPAK）或者类似的表面贴装封装，有助于提升散热性能并节省印刷电路板的空间。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：33A
　　导通电阻（典型值）：4.5mΩ
　　栅极电荷（典型值）：8nC
　　总功耗：125W
　　工作结温范围：-55℃ to +175℃

特性

UPC29M33T-E1 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高系统效率。
　　2. 高电流处理能力，使其适用于大功率应用场合。
　　3. 快速开关特性，能够有效降低开关损耗。
　　4. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品需求。
　　5. 封装设计优化了热性能，从而增强了整体可靠性。
　　6. 稳定的工作温度范围，确保在极端条件下的正常运行。

应用

UPC29M33T-E1 可以用于多种电子设备和系统中，具体包括：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
　　2. DC-DC 转换器的核心功率元件。
　　3. 电机驱动电路中的高效开关元件。
　　4. 各类负载开关和保护电路。
　　5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　6. 汽车电子系统中的功率控制部分，如电动座椅、雨刷器等。
　　7. 大功率 LED 驱动器中的关键组件。