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UPB2W151MRD 发布时间 时间:2025/10/7 2:03:13 查看 阅读:3

UPB2W151MRD是一款由Rohm Semiconductor(罗姆半导体)生产的双通道、单刀双掷(SPDT)模拟开关,采用超小型封装设计,适用于便携式设备和高密度电路板应用。该器件基于先进的CMOS工艺制造,具备低功耗、高速切换和宽工作电压范围的特点。UPB2W151MRD主要用于音频信号切换、耳机检测与路由、麦克风选择以及其它需要低导通电阻和低漏电流的模拟信号路径控制场合。其引脚配置经过优化,便于PCB布局,并支持接近轨到轨的信号处理能力,确保在多种供电条件下均能保持良好的信号完整性。该芯片还集成了内部上拉电阻,可用于简化耳机插入检测电路的设计,广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中。
  该器件的工作电压范围通常为1.65V至5.5V,使其能够兼容多种逻辑电平和电源系统。UPB2W151MRD具有出色的开关特性,包括快速的开启/关断时间、低传播延迟和极低的电荷注入,从而减少信号失真。此外,它具备良好的ESD保护性能,增强了在实际使用环境中的可靠性。产品符合RoHS环保标准,并采用无铅封装,满足现代电子产品的环保要求。

参数

型号:UPB2W151MRD
  类型:双通道SPDT模拟开关
  通道数:2
  电源电压范围:1.65V ~ 5.5V
  导通电阻(RON):典型值6Ω(VCC=3V)
  导通电阻平坦度:≤ 1.5Ω
  关断泄漏电流:≤ 100nA(最大值)
  输入电容(ON状态):约12pF
  开启时间(TON):≤ 35ns
  关断时间(TOFF):≤ 30ns
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:USMT(超小型表面贴装)
  引脚数:6
  低电平输入电压(VIL):≤ 0.4V
  高电平输入电压(VIH):≥ 0.7×VCC
  静态电流:≤ 1μA(典型值)

特性

UPB2W151MRD的高性能模拟开关特性使其成为便携式音频系统中的理想选择。首先,其低导通电阻(典型值仅为6Ω)显著降低了信号路径上的功率损耗和电压降,这对于保持音频信号的质量至关重要,尤其是在驱动低阻抗负载如耳机时,可以有效避免音量衰减和频率响应失真。其次,该器件具备优异的带宽特性,支持高达数百MHz的信号频率传输,因此不仅适用于音频信号,还可用于视频或高速数据信号的切换应用。其快速的开关响应时间(开启时间≤35ns,关断时间≤30ns)确保了在动态切换过程中不会引入明显的延迟或瞬态干扰,提升了用户体验。
  该芯片采用CMOS工艺实现极低的静态电流消耗(典型值≤1μA),非常适合电池供电设备以延长续航时间。同时,其宽电源电压范围(1.65V~5.5V)允许在不同供电环境下灵活使用,例如在系统从3.3V切换至1.8V逻辑时仍能正常工作。器件的关断状态下泄漏电流极小(≤100nA),有助于防止信号串扰和背景噪声,提高系统的信噪比。此外,UPB2W151MRD内置控制逻辑支持直接连接数字控制器(如MCU GPIO),无需额外电平转换电路,简化了系统设计。
  封装方面,USMT是一种超小型6引脚封装,占用PCB面积极小,适合空间受限的应用场景。其引脚排列经过优化,减少了走线复杂度和寄生电感,有助于提升高频性能和抗干扰能力。器件还具备良好的热稳定性和ESD耐受能力(HBM模式下可达±2kV以上),可在复杂电磁环境中稳定运行。整体而言,UPB2W151MRD结合了高性能、低功耗与紧凑封装的优势,是现代便携式电子设备中模拟信号路由的理想解决方案。

应用

UPB2W151MRD主要应用于需要高效模拟信号切换的消费类电子产品中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的耳机插孔检测与音频路径切换,在用户插入耳机时自动断开扬声器连接并将音频信号路由至耳机输出。它也可用于多麦克风选择电路,根据设备姿态或使用模式切换主/副麦克风输入,支持降噪和语音识别功能。此外,该器件适用于可穿戴设备(如智能手表和TWS耳机充电盒)中的低功耗信号开关,帮助管理系统内外设之间的连接状态。
  在多媒体设备中,UPB2W151MRD可用于AV信号源的选择,例如在不同输入源之间切换音频流。由于其宽带宽和低失真特性,也适合用于便携式医疗设备中的传感器信号路由,如心率监测模块中对多个传感通道进行轮询切换。工业手持终端、条码扫描仪和POS机等人机交互设备中,该芯片可用于按钮背光控制或音频提示信号的路径管理。
  得益于其小型化封装和高集成度,UPB2W151MRD特别适合高度集成的主板设计,能够在不牺牲性能的前提下节省宝贵的PCB空间。其稳定的电气特性和宽温工作范围(-40°C~+85°C)也使其适用于车载信息娱乐系统中的辅助音频输入切换模块。总之,任何需要可靠、低功耗、小尺寸模拟开关的应用都可以考虑采用UPB2W151MRD作为核心元件。

替代型号

UMT2W151MUR, UPC2791T5N, NLAS4157

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UPB2W151MRD参数

  • 标准包装140
  • 类别电容器
  • 家庭
  • 系列PB
  • 电容150µF
  • 额定电压450V
  • 容差±20%
  • 寿命@温度105°C 时为 5000 小时
  • 工作温度-25°C ~ 105°C
  • 特点通用
  • 纹波电流800mA
  • ESR(等效串联电阻)-
  • 阻抗-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳径向,Can
  • 尺寸/尺寸0.984" 直径(25.00mm)
  • 高度 - 座高(最大)2.047"(52.00mm)
  • 引线间隔0.492"(12.50mm)
  • 表面贴装占地面积-
  • 包装散装