时间：2025/7/10 5:50:30
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TD217CT1-GV 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统的效率和稳定性。
TD217CT1-GV 的封装形式通常为 TO-252（DPAK），具备出色的散热性能，适合高电流和高频应用环境。此外，该芯片支持较高的工作电压，并能在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：48nC
输入电容：1980pF
反向传输电容：38pF
开关时间：典型值 12ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有效降低传导损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关速度，减少开关损耗，适用于高频应用场景。
3. 高击穿电压设计，确保在高压条件下的可靠运行。
4. 内置防静电保护功能，增强器件的鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合长期使用。
6. 小型化封装，便于 PCB 布局并节省空间。
7. 支持大电流操作，满足多种功率转换需求。
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路，用于控制步进电机或无刷直流电机。
3. 负载开关和保护电路，例如过流保护和短路保护。
4. 汽车电子系统，如 LED 照明驱动和电池管理。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
6. 充电器和适配器中的高效功率转换元件。
7. 各类便携式电子设备中的电源管理单元。
IRFZ44N, FDP150N06L, STP30NF06
