型号：UPB2V330MHD
　　通道类型：P沟道
　　漏源电压(VDSS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-3.3A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-8.8A
　　导通电阻(RDS(on))：33mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：28mΩ @ VGS = -10V
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：520pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：190pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=10V
　　栅极电荷(Qg)：11nC @ VGS=-10V
　　体二极管反向恢复时间(Trr)：16ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：HVSOF-8
　　安装类型：表面贴装(SMD)

UPB2V330MHD具备出色的导通特性与开关性能，其核心优势在于低导通电阻（RDS(on)），在VGS = -10V时典型值仅为28mΩ，最大值为33mΩ（@ -4.5V）。这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效，尤其适合大电流应用场景下的能量传递。得益于ROHM专有的沟槽结构设计，该MOSFET实现了更高的沟道密度，在不增加芯片面积的前提下提升了载流能力。同时，较低的栅极电荷（Qg = 11nC）和米勒电容（Crss = 40pF）使得器件具有更快的开关速度，减少了开关过程中的动态损耗，提高了高频工作的适应性。
　　该器件的阈值电压范围为-1.0V至-2.0V，属于逻辑电平兼容型MOSFET，能够直接由3.3V或5V微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了驱动设计并降低了系统成本。对于电池供电设备而言，这种低驱动电压需求进一步减少了控制电路的功耗。此外，UPB2V330MHD具有良好的热稳定性，其RDS(on)随温度变化的非线性增长较小，确保在高温环境下仍能维持稳定的导通性能。集成的体二极管具有较快的反向恢复时间（Trr = 16ns），有效抑制了在感性负载切换过程中可能出现的电压尖峰和振荡问题，提升了系统的电磁兼容性和可靠性。
　　HVSOF-8封装不仅体积小巧，还优化了散热路径，通过暴露焊盘将热量高效传导至PCB，增强了功率处理能力。该封装符合工业标准引脚布局，便于自动化贴片生产，并支持回流焊工艺。器件通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其在振动、湿度、温度循环等恶劣条件下仍具备长期稳定工作的能力，因此也可用于汽车电子中的辅助电源模块。此外，UPB2V330MHD内置的静电放电（ESD）保护结构可承受较高的人体模型（HBM）电压，增强了器件在运输和装配过程中的抗损伤能力。

UPB2V330MHD广泛应用于各类需要高效电源切换与管理的电子系统中。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表中，该器件常被用作电池与主系统之间的负载开关，实现快速上电/断电控制，同时防止反向电流导致的能量浪费。在多电源域系统中，它可用于电源多路复用器（Power MUX），根据输入源优先级自动切换主供电路径，例如在USB和适配器之间进行无缝切换。
　　在DC-DC转换器拓扑中，UPB2V330MHD可作为同步整流器使用，替代传统肖特基二极管以降低导通压降和热损耗，从而提升转换效率，尤其是在降压（Buck）变换器的高边或低边配置中表现优异。此外，该器件也适用于过流保护电路、热插拔控制器以及电机驱动中的低端开关应用。在工业控制和物联网设备中，因其高可靠性和小尺寸特性，常用于传感器模块的电源门控，以延长待机时间。
　　汽车电子领域同样是其重要应用场景之一，包括车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、电动座椅调节电路等，其中对电源开关的响应速度、效率和安全性要求较高。UPB2V330MHD的车规认证背景使其成为这些应用的理想选择。此外，医疗设备中的便携式监护仪、手持式诊断工具等对安全性和稳定性要求严格的设备也会采用此类高性能P沟道MOSFET来保障供电质量。

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　　 "AP2302GN-HF",
　　 "DMG2302U",
　　 "Si2302CD-S16",
　　 "FDC630P",
　　 "TPSMB18A"
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