时间：2025/4/28 19:47:11
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FDC86244是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。其设计目标是提供高效率和低功耗性能，适合要求严格的工作环境。
该器件采用了先进的制程工艺，具备较低的导通电阻和极快的开关速度，从而显著提高了系统的整体能效。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：-15A
导通电阻（典型值）：2.7mΩ
总栅极电荷：38nC
输入电容：1980pF
输出电容：420pF
反向传输电容：280pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
1. 极低的导通电阻确保了高效功率转换。
2. 高速开关性能降低了开关损耗。
3. 超薄芯片设计节省空间，易于集成。
4. 具备出色的热稳定性，能够在极端温度条件下正常工作。
5. 提供强大的抗静电能力，ESD保护达到人体模型2kV以上。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 用于直流电机控制的H桥电路。
3. 各类负载开关及保护电路。
4. LED驱动器中的开关元件。
5. 工业控制设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的高效功率转换方案。
FDC86243, FDS86244
