时间：2025/10/6 19:54:05
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UPB2V100MPD是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的P沟道功率MOSFET，采用先进的Trench结构技术制造，专为高效率电源管理应用而设计。该器件具有低导通电阻（RDS(ON)）、高开关速度和良好的热稳定性，适用于电池供电设备、便携式电子产品以及各类DC-DC转换器电路中。其封装形式为S-Mini（双引脚表面贴装型），尺寸紧凑，有助于节省PCB空间，同时具备良好的散热性能。UPB2V100MPD能够在较低的栅极驱动电压下实现充分导通，支持逻辑电平驱动，因此可直接由微控制器或其他低压控制电路驱动，无需额外的电平转换电路。此外，该MOSFET具备优良的雪崩耐受能力和抗静电能力，提升了系统在瞬态条件下的可靠性。由于采用了环保材料和无铅工艺制造，符合RoHS和Green标准，适合用于消费类电子、工业控制及通信设备等多种应用场景。
型号：UPB2V100MPD
制造商：ROHM Semiconductor
晶体管类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-4.4A（@VGS = -4.5V）
脉冲漏极电流（IDM）：-12A
导通电阻RDS(ON)：37mΩ（@VGS = -4.5V）
导通电阻RDS(ON)：48mΩ（@VGS = -2.5V）
阈值电压（Vth）：-0.6V ~ -1.0V
输入电容（Ciss）：470pF（@VDS=10V）
输出电容（Coss）：185pF（@VDS=10V）
反向传输电容（Crss）：40pF（@VDS=10V）
栅极电荷（Qg）：8.5nC（@VGS=0~-4.5V）
体二极管正向电压（VSD）：-0.9V（@IS = -0.5A）
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：S-Mini
UPB2V100MPD采用先进的Trench结构设计，显著降低了导通电阻RDS(ON)，从而减少了导通损耗，提高了整体能效。在VGS = -4.5V时，其典型RDS(ON)仅为37mΩ，在低电压应用中表现出色，特别适用于电池供电系统以延长续航时间。该器件支持逻辑电平驱动，在VGS = -2.5V时仍能保持48mΩ的低导通电阻，使其能够与3.3V或更低电压的数字控制器直接接口，简化了驱动电路设计。其快速开关特性得益于较低的栅极电荷（Qg = 8.5nC）和寄生电容，有效减少开关过程中的能量损耗，提升高频工作的效率。
该MOSFET具备优异的热稳定性和可靠性，其最大工作结温可达+150°C，并采用高导热性的封装材料，确保在高负载条件下仍能稳定运行。S-Mini封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，还优化了散热路径，提升了功率密度。器件内置的体二极管具有较低的正向压降（VSD ≈ -0.9V），可在同步整流或反向电流保护中发挥良好作用。
UPB2V100MPD通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环等，确保长期使用的稳定性。其抗静电能力（HBM ESD）达到±2000V以上，增强了在生产装配和现场使用中的鲁棒性。此外，该器件符合RoHS和Green标准，不含卤素，支持环保生产要求。由于其高性能与小型化特点，广泛应用于智能手机、平板电脑、无线耳机、移动电源等便携式设备的电源开关和负载切换电路中。
UPB2V100MPD主要用于需要高效、小尺寸P沟道MOSFET的低压电源管理系统中。典型应用包括便携式电子设备中的负载开关、电池供电系统的电源通断控制、DC-DC降压或升压变换器中的同步整流元件、以及各类过流保护和热插拔电路。由于其支持逻辑电平驱动，常被用于替代传统三极管或高侧开关IC，实现更高效的电源管理方案。在智能手机和平板电脑中，它可用于背光LED驱动、摄像头模块供电控制、SIM卡或存储卡的电源隔离等场景。此外，也可作为电机驱动电路中的低端开关，或用于USB端口的电源管理与短路保护。在工业手持设备、医疗监测仪器和物联网终端中，该器件凭借其高可靠性和节能特性，成为理想的功率开关选择。
DMG2302UK-7
AO4479
FDS6670A
SI2301DS
