时间：2025/10/7 0:39:10
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UPB2G680MHD是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的功率MOSFET器件，广泛应用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等电力电子系统中。该器件采用先进的沟道MOSFET制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和优良的热稳定性等特点。其封装形式为HSTAR（High Thermal Star），能够有效提升散热性能，适用于需要高功率密度和紧凑设计的应用场景。UPB2G680MHD主要针对工业级工作环境设计，具备良好的抗雪崩能力和可靠性，在高温和高电压条件下仍能保持稳定运行。该器件通常用于同步整流、负载开关、电池管理系统以及其他对效率和功率密度要求较高的场合。
作为一款N沟道增强型MOSFET，UPB2G680MHD在栅极施加正向电压时导通，允许电流从漏极流向源极。其设计优化了米勒电容与栅极电荷特性，有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子产品制造需求。由于其高性能参数和稳健的封装结构，UPB2G680MHD被广泛应用于通信设备电源模块、工业控制电源、电动工具以及新能源相关产品中。
型号：UPB2G680MHD
制造商：ROHM Semiconductor
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：60V
最大连续漏极电流(ID)：190A
导通电阻(RDS(on))：2.3mΩ @ VGS=10V, ID=95A
栅极阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
最大栅源电压(VGS)：±20V
功耗(PD)：320W
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
输入电容(Ciss)：约10600pF @ VDS=30V
输出电容(Coss)：约2800pF @ VDS=30V
反向恢复时间(trr)：约30ns
封装类型：HSTAR
UPB2G680MHD具备极低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为2.3mΩ，在高电流应用中显著降低了导通损耗，从而提升了系统的整体能效。这一特性使其特别适用于大电流输出的DC-DC变换器和同步整流电路，能够在不增加额外散热措施的情况下处理高达190A的连续漏极电流。同时，其高电流承载能力得益于HSTAR封装优异的热传导性能，使芯片结温更均匀，避免局部过热导致的可靠性下降。该封装还提供了多个并联的源极引脚，减少了寄生电感和电阻，进一步增强了高频开关性能。
该器件的开关特性经过优化，具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），这使得在高频开关操作中所需的驱动功率更小，同时减少了开关过程中的电压振荡和电磁干扰（EMI）。此外，UPB2G680MHD的输出电容（Coss）较小，有助于降低关断期间的能量损耗，提升轻载效率。其体二极管具有较短的反向恢复时间（trr ≈ 30ns），可减少反向恢复引起的尖峰电流和功率损耗，尤其在桥式拓扑或感性负载切换时表现优异。
在可靠性方面，UPB2G680MHD具备较强的雪崩耐量，能够承受一定的电压过冲和能量冲击，适合用于电机启动、继电器断开等瞬态应力较大的应用场景。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，确保在极端温度环境下仍能稳定运行。此外，其栅氧化层经过严格工艺控制，具备良好的抗静电（ESD）能力和长期稳定性，延长了产品使用寿命。综合来看，UPB2G680MHD是一款兼顾高性能、高可靠性和高集成度的功率MOSFET解决方案。
UPB2G680MHD广泛应用于各类高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。其主要应用领域包括但不限于：服务器和通信设备中的大电流DC-DC降压转换器，作为上下管同步整流使用，利用其低RDS(on)特性减少发热并提升转换效率；在电动汽车车载充电机（OBC）、DC-DC转换模块及电池管理系统（BMS）中，用于主功率回路的开关控制，实现高效能量传输；在工业电机驱动器中，作为半桥或全桥拓扑中的开关元件，配合驱动IC完成精确的PWM控制。
此外，该器件也适用于高功率LED驱动电源、太阳能逆变器的辅助电源模块、电动工具中的无刷电机控制器等场景。由于其出色的散热能力和高电流承载特性，常被用于多相并联架构中，以分担总电流并提高系统冗余性。在服务器CPU供电VRM（电压调节模块）设计中，UPB2G680MHD可作为DrMOS的一部分或独立使用的功率级器件，满足现代处理器对动态响应速度和能效的严苛要求。其快速开关能力和低寄生参数也有助于减小滤波元件体积，实现更高频小型化设计。
RB2G680MHFV
