型号：UPB2G101MHD
　　类型：P沟道MOSFET
　　连续漏极电流（ID）：-2.3A
　　漏源击穿电压（BVDSS）：-20V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V
　　导通电阻（RDS(on)）：47mΩ @ VGS = -4.5V；60mΩ @ VGS = -2.5V
　　输入电容（Ciss）：330pF @ VDS = 10V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ VDS = 10V
　　栅极电荷（Qg）：6.5nC @ VGS = -10V
　　功耗（PD）：1W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装：HVSOF-5

UPB2G101MHD的核心特性之一是其优化的低导通电阻性能，在VGS = -4.5V条件下，RDS(on)仅为47mΩ，显著降低了在导通状态下的功率损耗，从而提高了电源系统的整体效率。这一特性使其非常适合用于电池供电设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，这些应用场景对能效要求极高。此外，该器件在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好的导通能力，例如在VGS = -2.5V时，RDS(on)也仅为60mΩ，说明其具备优异的逻辑电平驱动兼容性，可以直接由3.3V或更低电压的数字控制器驱动，无需复杂的电平转换或升压电路，简化了系统设计并降低了成本。
　　另一个关键特性是其采用的HVSOF-5封装技术。这种小型化表面贴装封装不仅节省了PCB空间，还通过优化内部引线结构和散热路径提升了热传导效率。该封装支持较高的功率密度，能够在有限的空间内实现较高的电流承载能力。同时，HVSOF-5封装具备较好的机械强度和焊接可靠性，适用于自动化贴片生产线，有利于大规模生产的一致性和良率控制。
　　该MOSFET还具备良好的开关特性，包括较低的输入电容（Ciss = 330pF）和反向传输电容（Crss = 50pF），这有助于减少开关过程中的延迟和振铃现象，提高开关速度并降低动态损耗。栅极电荷（Qg）仅为6.5nC，意味着驱动电路所需的能量较少，进一步提升了系统的能效表现。此外，器件的阈值电压范围合理（-1.0V至-2.0V），确保在正常工作条件下能够稳定开启而不易误触发，提高了系统的运行可靠性。
　　在可靠性方面，UPB2G101MHD经过严格的质量测试，能够在-55°C到+150°C的结温范围内稳定工作，适用于多种环境条件下的工业和消费类应用。其绝对最大额定值明确标示了栅源电压限制为±12V，设计时需注意防止静电放电（ESD）或瞬态电压冲击导致的损坏。综合来看，UPB2G101MHD凭借其低RDS(on)、小封装、良好开关性能和高可靠性，成为现代低电压电源管理设计中的优选器件。

UPB2G101MHD主要应用于需要高效、小型化电源开关解决方案的电子系统中。常见用途包括便携式设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的电源通断，从而实现节能和延长电池续航时间。它也广泛用于DC-DC降压或升压转换器的同步整流部分，作为低端开关管使用，利用其低导通电阻特性来减少能量损耗，提高转换效率。此外，在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于充放电路径的控制与保护，配合保护IC实现过流、短路等故障情况下的快速切断。
　　在消费类电子产品如智能手表、无线耳机、移动电源等产品中，UPB2G101MHD因其小尺寸和高性能成为理想的电源开关选择。其逻辑电平驱动能力使得可以直接连接微控制器GPIO口，实现软件可控的电源管理策略，例如睡眠模式下的外设断电或主处理器的冷启动控制。在工业控制领域，该器件可用于传感器模块、通信接口（如I2C总线开关）的电源隔离，防止总线冲突或故障扩散。
　　此外，UPB2G101MHD还可用于电机驱动电路中的低端开关，控制小型直流电机或步进电机的启停和方向切换，尤其适用于玩具、家电和自动化设备中的微型电机控制。由于其具备一定的抗浪涌能力，并且在关断状态下具有较低的漏电流，因此也能胜任各类待机电源管理和热插拔电路的设计需求。总体而言，该器件适用于所有要求高集成度、低功耗和高可靠性的低压电源开关场合。

UPB2G101MHC
　　DMG2304UX
　　NTR4101PT1G
　　FDS6680A