时间：2025/10/7 17:45:00
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UPB2D391MRD是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的P沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、负载开关和电池供电设备中。该器件采用紧凑型表面贴装封装（通常为S-Mini或类似小型封装），适合高密度PCB布局设计。UPB2D391MRD以其低导通电阻、高效率和良好的热稳定性著称，能够在较小的封装尺寸下提供出色的电流处理能力，适用于便携式电子设备中的开关控制应用。
该MOSFET设计用于在低电压逻辑信号控制下实现高效电源通断，支持多种节能模式操作。其P沟道结构允许在高端开关配置中直接驱动，无需额外电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗静电（ESD）保护能力，提升了在实际应用中的可靠性。
型号：UPB2D391MRD
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-30V
最大连续漏极电流（ID）：-4.4A
导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS = -10V
导通电阻（RDS(on)）：60mΩ @ VGS = -4.5V
栅极阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
输入电容（Ciss）：约400pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：S-Mini (双引脚超小型表面贴装封装)
UPB2D391MRD具备优异的电气性能和热管理能力，其关键特性之一是低导通电阻，在VGS为-10V时典型值仅为45mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统能效。这一特性尤其适用于对功耗敏感的应用场景，如移动设备和便携式仪器。由于其P沟道结构，该器件非常适合用作高端开关，可以直接由微控制器的GPIO引脚驱动，无需复杂的驱动电路，从而简化了设计流程并减少了外围元件数量。
该MOSFET具有快速开关响应能力，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入电容，能够实现高效的开关操作，减少开关过程中的能量损耗。这对于需要频繁启停或动态调节负载的系统尤为重要。此外，其-30V的漏源击穿电压使其适用于多种3.3V至24V的直流电源系统，具备良好的电压适应性。
UPB2D391MRD采用S-Mini小型封装，不仅节省PCB空间，还通过优化的内部结构增强了散热性能。即使在较高环境温度下也能保持稳定工作，确保长时间运行的可靠性。该封装还具备良好的焊接兼容性，支持自动化回流焊工艺，适用于大规模生产制造。
器件内置一定的静电放电（ESD）保护能力，提升了在装配和使用过程中的鲁棒性。同时，其宽泛的工作结温范围（最高可达+150°C）使其能在严苛环境中稳定运行。Rohm对该产品实施严格的品质控制，确保批次一致性与长期可靠性，满足工业级和消费类电子产品的应用需求。
UPB2D391MRD常用于各类电源开关和负载控制电路中，典型应用场景包括便携式电子设备的电池电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或反向电流阻断电路。在这些设备中，它可用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或系统休眠模式。
此外，该器件也广泛应用于DC-DC转换器的同步整流或高端开关部分，特别是在非隔离式降压拓扑中作为控制开关使用。由于其低导通电阻和快速响应特性，有助于提升转换效率并降低发热。
在工业控制系统中，UPB2D391MRD可用于继电器替代方案或固态开关设计，实现无触点、长寿命的电源控制。它还可用于热插拔电路、电机驱动中的电源切断以及各类过流保护电路中，作为主控开关元件。
由于其小型化封装和高集成度优势，该MOSFET特别适合空间受限的高密度印刷电路板设计，例如物联网终端、无线传感器节点和微型电源适配器等新兴领域。
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"DMG2305UX",
"SI2301DDS",
"FDC630P"
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