RF5373TR7 时间：2025/8/16 3:59:26 阅读：7

RF5373TR7是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的N沟道增强型功率MOSFET，专为高频、高效率应用而设计。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高速开关特性，适用于DC-DC转换器、电源管理、负载开关和马达控制等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：3.7A
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.062Ω（典型值）@Vgs=10V
　　漏极电容（Coss）：190pF
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TSOP
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

RF5373TR7具备出色的导通性能和快速的开关响应能力，能够在高频环境下稳定工作。其低导通电阻显著降低了导通损耗，有助于提高整体系统效率。此外，该MOSFET采用先进的硅工艺和封装技术，确保了在高电流和高温条件下依然具备良好的稳定性和可靠性。其190pF的漏极输出电容也使其适用于高频开关电路，减少了开关过程中的能量损耗。
　　该器件还具有较高的热稳定性，能够在较宽的温度范围内运行，适用于严苛的工业和汽车电子环境。TSOP封装形式不仅减小了PCB占用空间，也有利于实现自动化生产，提升制造效率和良品率。同时，±20V的栅源电压耐受能力增强了该MOSFET在复杂电磁环境下的抗干扰能力。