时间：2025/10/6 21:41:08
阅读：8
UPB2C101MHD是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的双数据速率同步动态随机存取存储器（DDR SDRAM）接口的时钟缓冲器（Clock Buffer），主要用于为内存子系统提供稳定、低抖动的时钟信号分配。该器件专为高性能计算、服务器、网络设备以及需要高可靠性和精确时序控制的系统而设计。UPB2C101MHD支持JEDEC标准的DDR3和DDR4内存接口时钟需求，具备多路输出能力，能够驱动多个负载而保持信号完整性。其封装形式采用小型化、高引脚数的TQFP或类似封装，适合在空间受限但性能要求严苛的应用环境中使用。芯片内部集成了精密匹配的输出驱动器，优化了传播延迟匹配和输出间偏斜控制，确保在整个工作温度和电压范围内都能实现优异的时钟同步性能。此外，该器件具有低功耗特性，并支持电源电压去耦和噪声抑制设计，增强了系统的电磁兼容性（EMC）表现。
型号：UPB2C101MHD
制造商：ROHM Semiconductor
器件类型：时钟缓冲器 / 时钟驱动器
通道数量：1输入，10输出
输入类型：LVCMOS/LVTTL 兼容
输出类型：LVCMOS
工作电压范围：3.135V 至 3.465V（典型3.3V）
最大工作频率：200MHz 至 800MHz（取决于模式）
传播延迟：典型值约 2.5ns
输出间偏斜（Skew）：≤150ps
电源电流：典型值 75mA（无负载）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TQFP-48 或类似
抖动（Jitter）：<150fs RMS（典型）
上升/下降时间：约 1.2ns（典型）
输出使能控制：支持全局输出使能（OE）功能
热插拔支持：具备上电复位和三态输出控制，支持热插入场景应用
UPB2C101MHD具备出色的时钟分配性能，其核心优势在于高精度的输出间偏斜控制和极低的附加抖动，这对于DDR3和DDR4内存系统的稳定性至关重要。该芯片通过优化内部布线和驱动电路设计，确保所有输出通道之间的传播延迟高度一致，从而减少内存控制器与各个DRAM颗粒之间的时序偏差，提升整体系统时序裕量。
该器件采用差分时钟输入架构，在某些配置下可接受单端或差分参考时钟输入，并通过内部锁相环（PLL）或无晶振调节技术实现频率合成与稳定输出。虽然它本身不包含锁相环用于倍频，但其纯扇出型架构保证了最低的延迟和最高的可靠性，适用于对确定性延迟敏感的应用场景。
UPB2C101MHD还具备良好的电源噪声抑制能力，内置多组电源和地引脚分布于封装四周，有效降低接地反弹和电源波动影响。同时，每个输出通道都经过阻抗匹配优化，减少了反射和串扰，提升了信号完整性。此外，该芯片支持输出使能引脚（OE），允许系统在不需要时钟输出时将其置于高阻态，便于电源管理或多板协同工作。
在可靠性方面，UPB2C101MHD符合工业级温度规范（-40°C至+85°C），能够在恶劣环境条件下长期稳定运行。其封装符合RoHS环保标准，并支持自动贴片生产工艺，适用于大规模自动化生产流程。器件还具备上电复位功能，防止启动过程中的不确定状态输出，避免误触发下游内存模块。
UPB2C101MHD广泛应用于需要高性能内存子系统时钟分配的各种电子设备中，尤其适用于服务器主板、工作站、高端台式机以及通信基础设施设备如路由器、交换机和基站控制器等。在这些系统中，内存带宽和访问延迟是关键性能指标，因此必须依赖高质量的时钟信号来同步DDR3或DDR4内存模块的操作。
该芯片常被用作内存控制器与时钟树之间的中间驱动级，将来自处理器或PCH（平台控制器中枢）的单一主时钟复制并分配给多个DIMM插槽上的SPD EEPROM、内存颗粒或其他时序敏感组件。由于其多达10路的CMOS输出，它可以灵活地服务于双通道甚至四通道内存架构，满足多插槽系统的布线需求。
在网络设备中，UPB2C101MHD用于保障数据包处理引擎、交换矩阵和高速缓存间的同步操作；在工业计算和嵌入式控制系统中，它则为实时操作系统提供了可靠的时钟基础。此外，测试测量仪器、医疗成像设备以及军事航空电子系统也因其高可靠性和精确时序控制而选用此类高性能时钟缓冲器。
由于支持热插拔和具备三态输出功能，该器件特别适用于可扩展机架式服务器和存储阵列，能够在更换内存模块或背板时安全关闭对应时钟路径，避免电气冲突。
UB3001BTK, CDCS501, PI6C29412
