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MRF452A 发布时间 时间:2025/9/3 0:02:09 查看 阅读:9

MRF452A是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于高频功率放大、开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用。该器件采用了先进的工艺技术,具有高耐压、低导通电阻以及快速开关特性,适合在高效率和高可靠性要求的电子系统中使用。MRF452A采用TO-247封装形式,具备良好的热性能和机械稳定性,适用于工业控制、汽车电子和消费类电子设备中的功率管理需求。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流(ID):12A
  最大漏源电压(VDS):900V
  最大栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):典型值1.5Ω
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247

特性

MRF452A具有多项优异的电气和物理特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其高达900V的漏源击穿电压(VDS)使其适用于高电压环境下的开关操作,如电源供应器和逆变器系统。其次,该MOSFET的导通电阻较低,典型值为1.5Ω,有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,MRF452A的封装设计(TO-247)提供了良好的散热性能,确保在高负载条件下仍能稳定运行。该器件的快速开关特性也有助于减少开关损耗,提高系统的动态响应能力。MRF452A还具备高雪崩能量耐受能力,增强了其在突发电压或负载变化情况下的可靠性。这些特性共同确保了MRF452A在恶劣工作环境下依然能够提供稳定的性能,延长设备的使用寿命。
  MRF452A的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平,简化了与控制器的接口设计,提高了系统的集成度和灵活性。同时,其高抗干扰能力使其在复杂电磁环境中也能保持稳定工作状态。

应用

MRF452A适用于多种功率电子系统,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS(不间断电源)、电机驱动和控制电路、逆变器、工业自动化设备以及新能源系统(如太阳能逆变器)。在这些应用中,MRF452A能够有效提升系统的效率和稳定性,同时降低整体功耗。

替代型号

IRF450, STW9NK90Z, FDPF4N90

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