时间：2025/5/15 16:23:11
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ZXMN10A08E6 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装形式，适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。其设计主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
该芯片的额定电压为 100V，具有较低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少功率损耗并提高系统效率。同时，它具备快速开关特性和良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：7.2A
导通电阻（Rds(on)）：135mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：14nC（典型值）
输入电容：1320pF（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：SO-8
1. 额定电压高达 100V，适合多种中低压应用场景。
2. 导通电阻低至 135mΩ（典型值），有助于降低功耗和提升系统效率。
3. 快速开关性能，支持高频操作。
4. 具备优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠运行。
5. 小巧的 SO-8 封装设计，便于 PCB 布局和安装。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC 转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. LED 照明驱动中的电流调节与控制。
6. 工业自动化设备中的电源管理模块。
IRF540N
STP10NK06Z
FQP12N10
AO3400
