时间：2025/6/22 3:25:06
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UPA673T-T1是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件适用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。其优异的导通电阻的理想选择。
该MOSFET具备低导通电阻和快速开关速度，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：45A
导通电阻（典型值）：8.5mΩ
总功耗：140W
工作结温范围：-55℃至175℃
UPA673T-T1具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少传导损耗。
2. 快速开关能力，有助于降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 采用无铅封装，符合RoHS标准。
5. 内置反向二极管，支持续流回路的应用场景。
6. 热稳定性强，能够在高温环境下长时间运行。
UPA673T-T1广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备
5. 电池管理系统（BMS）
6. 汽车电子中的负载切换和保护电路
7. 各类高效能功率管理模块
IRFZ44N, FDP5560, STP55NF06L
