UPA650TT-E1 时间：2025/6/16 22:41:07 阅读：4

UPA650TT-E1是一款基于高压CMOS工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件主要应用于需要高效率和低功耗的开关电路，例如DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
　　其设计特点包括极低的导通电阻（Rds(on)），出色的开关性能，以及较高的雪崩击穿能力，能够承受瞬态电压冲击。UPA650TT-E1采用了TO-220封装形式，便于散热和安装，适合多种工业和消费类电子应用。

参数

最大漏源电压(Vdss)：650V
　　最大连续漏电流(Id)：3.5A
　　最大栅极驱动电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：4.5Ω
　　总功耗(Ptot)：105W
　　结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

UPA650TT-E1具有以下关键特性：
　　1. 高耐压能力，最大漏源电压可达650V，适用于高电压应用场景。
　　2. 极低的导通电阻（Rds(on)），在额定条件下仅为4.5Ω，有助于降低传导损耗。
　　3. 快速开关速度，能够有效减少开关损耗，提高系统效率。
　　4. 优秀的雪崩击穿能力和抗静电性能，提升了器件的可靠性。
　　5. TO-220封装提供了良好的散热性能，适合功率较大的应用环境。
　　6. 广泛的工作温度范围，支持从-55℃到+150℃的结温区间，适应多种恶劣环境。

应用

UPA650TT-E1广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(Switching Power Supply)，如AC-DC适配器、LED驱动器等。
　　2. DC-DC转换器，用于电压调节和功率管理。
　　3. 电机驱动电路，控制直流或无刷电机的速度和方向。
　　4. 负载开关和保护电路，提供过流保护和短路保护功能。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块，例如继电器替代方案。
　　6. 汽车电子系统的辅助电路，如电池管理系统(BMS)中的功率分配单元。