UPA2003GR-E2 是一款高性能的 N 沪型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特点,能够有效提高系统效率并降低功耗。
该型号为表面贴装器件(SMD),封装形式为 TO-252 (DPAK),适合自动化生产,同时具有良好的散热性能。
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:3.8A
最大脉冲漏极电流:11.4A
导通电阻:0.17Ω
栅极电荷:19nC
输入电容:1330pF
输出电容:1050pF
反向恢复时间:15ns
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
UPA2003GR-E2 的主要特性包括:
1. 低导通电阻(Rds(on))设计,可显著减少导通损耗。
2. 快速开关能力,适用于高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常情况下的可靠性。
4. 内置 ESD 保护功能,提高抗静电能力。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
6. 封装结构紧凑,易于集成到各种 PCB 设计中。
7. 热稳定性好,能够在高温环境下保持性能稳定。
这些特点使得 UPA2003GR-E2 成为众多电力电子设备的理想选择。
UPA2003GR-E2 可用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的主开关或续流二极管替代。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 工业控制设备中的功率转换模块。
6. 汽车电子系统中的电源管理单元。
7. LED 驱动器中的电流调节元件。
由于其出色的电气特性和可靠性,UPA2003GR-E2 在这些领域表现出色。
IRFZ44N, AO3400, FQP30N06L