型号：UPA1V561MPD
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20 V
　　连续漏极电流（ID）：4.4 A（@ VGS = 4.5 V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：17.6 A
　　栅源电压（VGS）：±8 V
　　导通电阻 RDS(on)：23 mΩ（@ VGS = 4.5 V）
　　RDS(on) 最大值：30 mΩ（@ VGS = 2.5 V）
　　栅极阈值电压（Vth）：0.6 V 至 1.0 V
　　输入电容（Ciss）：330 pF（@ VDS = 10 V）
　　输出电容（Coss）：110 pF（@ VDS = 10 V）
　　反向恢复时间（trr）：18 ns
　　最大功耗（Ptot）：1 W（@ Ta = 25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：S-Mini（双引脚无引线封装）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　通道数：单通道

UPA1V561MPD具备多项关键电气与结构特性，使其在同类低电压功率MOSFET中表现出色。首先，其低导通电阻是核心优势之一，在VGS = 4.5V时典型值仅为23mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率，尤其适用于大电流短时导通的应用如移动电源开关或背光驱动。更重要的是，即使在较低的栅极驱动电压下（例如2.5V），其RDS(on)仍可保持在30mΩ以内，这意味着它能够兼容3.3V甚至更低电压的逻辑控制信号，增强了与现代低电压微处理器和数字控制器的接口能力。
　　其次，该器件拥有非常低的栅极阈值电压（典型值0.8V），使得它可以被绝大多数数字输出引脚直接驱动，而无需额外的电平移位器或专用驱动IC，有效节省PCB空间和物料成本。同时，其输入电容和输出电容较小（Ciss=330pF，Coss=110pF），意味着开关过程所需的充电能量较少，从而加快了开关速度，减少了开关损耗，有利于高频操作环境下的能效优化。这对于DC-DC降压变换器或同步整流拓扑尤为重要。
　　在可靠性方面，UPA1V561MPD采用了高可靠性的沟槽型MOSFET工艺，结合S-Mini封装提供的良好热传导路径，确保了长期运行的稳定性和耐用性。该封装还具有较小的寄生电感和电阻，有助于抑制开关瞬态过程中的振铃现象，提升电磁兼容性（EMC）表现。此外，器件通过AEC-Q101认证，表明其满足汽车级产品在温度循环、高温反偏、湿度敏感度等方面的严苛测试要求，可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。最后，其-55°C至+150°C的宽结温范围也支持极端环境下的正常运作，进一步拓展了应用边界。

UPA1V561MPD广泛应用于多种需要高效、小型化功率开关解决方案的电子系统中。一个典型用途是在便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池充放电路径控制、负载开关或电源域切换。由于其低RDS(on)和低驱动电压需求，非常适合用于防止电池反向放电或实现多路电源的顺序上电控制。
　　另一个重要应用场景是直流-直流转换器（DC-DC Converter），尤其是在同步整流架构中作为低端开关使用。其快速开关特性和低导通损耗有助于提高转换效率，减少发热，延长设备续航时间。此外，在LED照明系统中，特别是手持设备的背光驱动或闪光灯电源开关中，UPA1V561MPD可以作为恒流源的通断控制元件，提供精确且响应迅速的开关动作。
　　在工业与汽车电子领域，该器件可用于小型电机驱动、继电器替代（固态开关）、热插拔保护电路以及传感器电源控制等场合。其AEC-Q101认证使其适用于车载摄像头电源管理、车内照明控制、电动门窗辅助电路等非动力总成相关的汽车子系统。此外，由于其小型化封装和高集成度特点，也常用于密集布局的主板或模块化电源板设计中，帮助工程师实现更高的功率密度和更优的热管理方案。

DMG2305UW-7
　　AO3400A
　　FDS6680A