时间：2025/6/4 2:17:26
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5AGXBB3D4F40C5N 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高频率和高效率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式结构和场效应晶体管技术，能够显著降低导通电阻并提高开关性能。它通常应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及各类工业电子设备中。
此芯片具有出色的热特性和电气稳定性，在高频工作环境下表现出较低的开关损耗和较高的可靠性，非常适合要求严格的电力电子系统。
型号：5AGXBB3D4F40C5N
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：15A
最大脉冲漏极电流(Ip)：80A
导通电阻(Rds(on))：0.12Ω（在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：50nC
输入电容(Ciss)：1200pF
输出电容(Coss)：35pF
反向恢复时间(trr)：45ns
结温范围(Tj)：-55℃ to +175℃
5AGXBB3D4F40C5N 的主要特点包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 快速开关速度和较小的栅极电荷 Qg，可以有效降低开关损耗。
3. 高耐压能力（高达650V），适用于广泛的高压应用场景。
4. 优异的热稳定性和散热性能，确保长期运行中的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代绿色制造需求。
6. 小型化封装设计，节省电路板空间同时便于安装与维护。
这些特性使该器件成为高效率电力转换系统的理想选择，尤其是在需要快速切换和低功耗的应用场合。
5AGXBB3D4F40C5N 广泛用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 逆变器和不间断电源(UPS) 系统。
3. 工业电机控制和伺服驱动。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
5. 电动汽车(EV) 充电器及电池管理系统(BMS)。
6. LED 驱动器和高效照明解决方案。
其高耐压和低损耗特性使其成为许多高压、大电流应用的理想选择。
IRF840A
FDP5800
STP15NM65W
IXYS20N65C3
