时间：2025/10/6 22:05:55
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UPA1V391MPD6是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，采用小型表面贴装封装（S-Mini），专为高效率电源转换和开关应用设计。该器件适用于需要低导通电阻、快速开关速度和紧凑尺寸的便携式电子设备和电源管理系统。UPA1V391MPD6结合了先进的沟槽型MOSFET工艺与优化的封装技术，在保证高性能的同时实现了极小的占板面积，非常适合空间受限的应用场景。
该MOSFET的最大漏源电压（VDS）为20V，最大连续漏极电流（ID）可达5.7A，具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有助于降低开关损耗，提高系统整体能效。其低阈值电压特性使其能够兼容3.3V或5V逻辑电平驱动信号，便于与现代微控制器或电源管理IC直接接口。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，可在较宽的温度范围内稳定工作，适用于消费电子、工业控制及通信设备中的DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等应用。
型号：UPA1V391MPD6
通道类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
最大连续漏极电流（ID）：5.7A
最大脉冲漏极电流（IDM）：22A
最大导通电阻（RDS(on)）：24mΩ @ VGS=4.5V
最大导通电阻（RDS(on)）：30mΩ @ VGS=2.5V
阈值电压（Vth）：0.4V ~ 1.0V
栅极电荷（Qg）：5.8nC @ VDS=10V, ID=2.85A
输入电容（Ciss）：220pF @ VDS=10V
反向恢复时间（trr）：14ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装形式：S-Mini (DMN2601K)
UPA1V391MPD6采用罗姆专有的沟槽结构MOSFET制造工艺，这种结构能够在保持高击穿电压的同时显著降低导通电阻，从而提升器件的电流处理能力和能效表现。其超低的RDS(on)值在同类产品中具有明显优势，特别是在低电压、大电流的应用环境中，如便携式设备的同步整流或电池供电系统的电源开关，能够有效减少功率损耗并降低温升，延长设备运行时间和电池寿命。
该器件的栅极电荷（Qg）仅为5.8nC，意味着在开关过程中所需的驱动能量非常小，这不仅降低了驱动电路的设计复杂度，也减少了开关过程中的动态损耗，提升了高频开关应用下的系统效率。同时，其输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）经过优化，进一步改善了高频响应性能，适合用于工作频率较高的DC-DC变换器拓扑结构，如Buck、Boost或SEPIC转换器。
S-Mini封装是UPA1V391MPD6的一大亮点，该封装在尺寸上远小于传统的SOT-23或SC-70封装，典型尺寸约为1.0mm x 1.0mm x 0.55mm，极大节省了PCB布局空间，特别适合智能手机、可穿戴设备、物联网终端等对体积敏感的产品。尽管封装小巧，但其散热性能通过优化引脚布局和内部结构得到了保障，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
此外，UPA1V391MPD6具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了在实际应用中的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其不仅适用于常温环境，也能在高温工业环境下可靠工作。器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级可靠性测试，表明其在汽车电子应用中也具备一定的适用潜力，例如车载信息娱乐系统或车身控制模块中的低边开关应用。
UPA1V391MPD6广泛应用于需要高效、小型化功率开关解决方案的各类电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的DC-DC降压或升压转换器，用于为处理器、传感器或无线模块提供稳定的电源轨；在锂电池供电设备中，作为充电管理电路或放电路径上的开关元件，实现对电池充放电过程的精确控制。
该器件还可用于负载开关电路，用于启用或禁用某个子系统电源，以实现节能待机模式或防止启动冲击电流。由于其低导通电阻和快速响应能力，也非常适合作为热插拔电路或电源多路复用器中的主控开关。
在电机控制领域，UPA1V391MPD6可用于驱动小型直流电机或步进电机的H桥电路中，尤其是在玩具、微型机器人或智能家居执行器中，其高效率和小尺寸优势尤为突出。
此外，在LED背光驱动或照明控制电路中，该MOSFET可用作PWM调光开关，凭借其快速开关特性和低损耗表现，能够实现平滑的亮度调节和高光效输出。在通信模块、无线耳机、智能手表等高度集成的设备中，UPA1V391MPD6凭借其S-Mini封装和优异电气性能，成为实现高密度电源设计的理想选择。
DMN2601KUW-7
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