H5TQ8G43AMR 时间：2025/9/1 21:54:59 阅读：10

H5TQ8G43AMR 是由 SK Hynix（海力士）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能存储器产品系列。该芯片采用BGA（球栅阵列）封装技术，适用于需要高存储容量和高速数据处理的电子设备。H5TQ8G43AMR 是一款8Gbit（Gigabit）容量的DRAM，通常用于移动设备、智能平板、嵌入式系统等应用场景。

参数

容量：8Gbit
　　组织结构：x16
　　工作电压：1.8V
　　封装类型：BGA
　　接口类型：并行
　　时钟频率：166MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据宽度：16位
　　封装尺寸：93球FBGA

特性

H5TQ8G43AMR 是一款性能优异的DRAM存储芯片，具备高容量和高速处理能力。其8Gbit的存储容量能够满足复杂系统对内存的需求，同时支持166MHz的工作频率，确保了数据的快速存取。该芯片的工作电压为1.8V，具有较低的功耗特性，适用于电池供电设备以延长续航时间。
　　此外，H5TQ8G43AMR 采用93球FBGA（细间距球栅阵列）封装形式，具有良好的热性能和电气性能，适合在高密度PCB布局中使用。芯片支持工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），确保在各种环境条件下都能稳定运行。其并行接口设计也保证了与主流处理器和控制器的兼容性，便于集成到多种电子系统中。