类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：60A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：100V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 7.8mΩ（在 VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
　　功耗（PD）：150W
　　封装：PowerFLAT 5x6
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

SPNZ801037TR 的核心特性在于其采用的 STripFET? F7 技术，这项技术显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件在高频开关应用中表现出色，具有较低的开关损耗，这得益于其优化的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）。
　　该 MOSFET 还具备优异的热管理性能，能够在高电流和高功率环境下稳定运行。PowerFLAT 5x6 封装形式不仅提供了良好的散热能力，还支持表面贴装技术（SMT），提高了 PCB 设计的灵活性和自动化制造的效率。这种封装没有引脚，降低了寄生电感，从而进一步改善了高频开关性能。
　　SPNZ801037TR 的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间正常工作，使其兼容多种栅极驱动器设计。同时，其栅极阈值电压较低（2V~4V），使得在低压系统中也能可靠地导通。该器件还具有良好的雪崩耐受能力，能够在突发过压情况下提供额外的安全裕度。

SPNZ801037TR 广泛应用于需要高效功率转换和高密度电源设计的场合。常见应用包括服务器电源、电信设备电源、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、储能系统和工业自动化设备中的负载开关控制。其低导通电阻和高频特性使其在高效率开关电源（SMPS）中表现出色，尤其是在需要紧凑设计和高效散热的应用中。此外，由于其出色的热性能和封装优势，该器件也适用于需要并联多个 MOSFET 的高功率应用。

IPB096N15N5, SQM100N10-07, IPPB90N10N3