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UPA1V391MPD 发布时间 时间:2025/10/6 16:59:22 查看 阅读:6

UPA1V391MPD是一款由Rohm(罗姆)半导体公司生产的N沟道功率MOSFET,专为高效率开关应用设计。该器件采用紧凑型TSON-8(US8)封装,具有低导通电阻和优异的热性能,适用于空间受限且对功耗敏感的便携式电子设备。UPA1V391MPD主要用于DC-DC转换器、负载开关、电池供电系统以及需要高效能功率管理的场合。其优化的栅极结构确保了快速的开关响应时间,同时降低了开关损耗,有助于提升整体系统效率。此外,该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和可靠性,能够在严苛的工作环境下稳定运行。器件符合RoHS标准,并支持无铅焊接工艺,适合现代绿色电子产品制造需求。由于其高集成度和高性能表现,UPA1V391MPD广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他消费类电子产品中作为关键功率控制元件。
  该器件在设计上注重热管理和电气性能的平衡,通过优化芯片布局和封装材料,有效提升了散热能力,使其在高电流负载下仍能保持较低的温升。同时,UPA1V391MPD具备较高的栅源电压耐受能力,增强了在瞬态电压波动情况下的鲁棒性。其低输入电容和输出电容也减少了驱动电路的负担,使得在高频开关应用中更加节能高效。总体而言,UPA1V391MPD是一款面向中低功率领域的高性能MOSFET解决方案,兼顾了小型化、高效率与可靠性三大核心需求。

参数

型号:UPA1V391MPD
  类型:N沟道MOSFET
  封装:TSON-8 (US8)
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):4.4A @ Ta=25°C
  脉冲漏极电流(ID_pulse):17.6A
  导通电阻(RDS(on)):24mΩ @ VGS=10V, ID=2.2A
  导通电阻(RDS(on)):30mΩ @ VGS=4.5V, ID=2.2A
  阈值电压(Vth):1.0V ~ 2.0V
  输入电容(Ciss):470pF @ VDS=15V
  输出电荷(Qgd):4.4nC @ VDS=15V
  反向恢复时间(trr):24ns
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  热阻(θJA):62.5°C/W
  热阻(θJC):12.5°C/W

特性

UPA1V391MPD的特性之一是其超低导通电阻(RDS(on)),在VGS=10V时仅为24mΩ,在VGS=4.5V时为30mΩ,这显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了电源转换效率。这种低RDS(on)特性特别适用于电池供电设备中的同步整流和负载开关应用,能够有效延长电池续航时间。此外,该器件在低栅极驱动电压下仍能保持良好的导通性能,兼容3.3V或5V逻辑电平控制,简化了与微控制器或电源管理IC的接口设计。
  另一个关键特性是其采用TSON-8(也称US8)小型化封装,尺寸仅为3mm x 3mm,厚度薄,非常适合高密度PCB布局。该封装具有优异的散热性能,底部带有裸露焊盘,可通过PCB接地层实现高效热传导,从而提高器件的功率处理能力。相比传统SOP-8封装,TSON-8不仅节省空间,还大幅改善了热阻表现,使器件在高负载条件下更稳定可靠。
  UPA1V391MPD具备优良的开关特性,包括低输入电容(Ciss=470pF)和低栅极电荷(Qgd=4.4nC),这些参数有助于减少开关过程中的能量损耗,支持更高的开关频率操作,适用于高频DC-DC变换器拓扑如Buck、Boost及同步整流电路。同时,较短的反向恢复时间(trr=24ns)降低了体二极管在反向恢复期间的能量损耗,进一步提升了系统效率并减少了电磁干扰(EMI)。
  该MOSFET还具备良好的热稳定性与长期可靠性,工作结温范围宽达-55°C至+150°C,适用于各种工业与消费类应用场景。内置的静电放电(ESD)保护和过热保护机制增强了其在实际使用中的鲁棒性。此外,器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准,表明其在振动、湿度和温度循环等恶劣环境下的耐用性,可用于车载信息娱乐系统或辅助电源模块等汽车电子系统。

应用

UPA1V391MPD主要应用于需要高效率、小尺寸和高可靠性的功率管理场景。典型应用包括便携式电子设备中的同步降压(Buck)转换器,用于将锂电池电压(如3.7V)高效转换为处理器、内存或其他子系统所需的低电压(如1.8V或1.2V)。在这些应用中,其低导通电阻和快速开关特性可显著降低转换损耗,提升能效。
  该器件也常用于负载开关电路,控制不同功能模块的电源通断,例如显示屏背光、摄像头模组或无线通信模块的供电管理。通过精确控制MOSFET的导通与关断,可以实现快速响应和低静态电流消耗,满足现代智能设备对节能和动态电源管理的需求。
  此外,UPA1V391MPD适用于电池保护电路和热插拔控制电路,防止电流浪涌或短路造成的损害。其高电流承载能力和快速响应能力使其成为理想的选择。
  在汽车电子领域,该MOSFET可用于车身控制模块、LED照明驱动、传感器电源管理等非主驱类应用。得益于其AEC-Q101认证和宽温工作范围,即使在高温引擎舱或寒冷户外环境中也能稳定运行。
  其他应用还包括USB电源开关、充电管理电路、DC-DC模块电源以及工业自动化设备中的低功耗开关电源单元。凭借其综合性能优势,UPA1V391MPD已成为许多设计师在中低功率开关应用中的首选器件之一。

替代型号

[
   "UPA1H391MPD",
   "DMG3415U",
   "AO3400",
   "SI2302DS",
   "FDS6680A"
  ]

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UPA1V391MPD参数

  • 制造商Nichicon
  • 产品种类铝质电解电容器 - 带引线
  • 电容390 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值35 Volts
  • 端接类型Radial
  • 产品Low Impedance Electrolytic Capacitors
  • 封装Bulk
  • 系列PA
  • 工厂包装数量200