时间：2025/9/14 22:23:07
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PDTD113ZT,215 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件广泛应用于低频、中功率放大电路以及开关电路中，适用于消费电子、工业控制、电源管理和通信设备等领域。该晶体管采用SOT223封装形式，具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力。
类型：NPN型晶体管
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vceo）：100 V
最大集电极-基极电压（Vcbo）：100 V
最大功耗（Ptot）：300 mW
增益带宽积（fT）：100 MHz
电流增益（hFE）：110至800（根据档位不同）
封装类型：SOT223
工作温度范围：-55°C 至 150°C
PDTD113ZT,215 是一款性能稳定、高可靠性的NPN晶体管，具有优异的电气特性和良好的热管理能力。该晶体管的最大集电极电流为100 mA，在中低功率放大和开关应用中表现出色。其最大集电极-发射极电压（Vceo）和集电极-基极电压（Vcbo）均为100 V，使其适用于中高压电路环境。
该晶体管的电流增益（hFE）范围为110至800，具体数值取决于制造时的分档，用户可以根据应用需求选择合适的增益等级。其增益带宽积达到100 MHz，支持在中高频范围内的放大应用。此外，PDTD113ZT,215 的最大功耗为300 mW，SOT223封装具备良好的散热性能，适合长时间运行的应用场景。
在温度特性方面，该晶体管可在-55°C至150°C的范围内稳定工作，适应性强，适用于各种工业和消费类电子产品。其封装形式SOT223也便于自动化装配，符合现代电子制造工艺的需求。
PDTD113ZT,215 主要用于中低功率放大电路、信号处理电路、电源管理模块以及各种开关控制电路。例如，在音频放大器中，它可以作为前置放大器使用；在数字电路中，可以用于晶体管-晶体管逻辑（TTL）或驱动继电器、LED和小型电机等负载。此外，它也广泛应用于传感器接口电路、电源转换器和工业控制设备中。
BC547, PN2222A, 2N3904
