类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：650V
　　最大漏极电流(Id)：60A
　　导通电阻(Rds(on))：0.18Ω（典型值）
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　功率耗散(Pd)：300W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

FGA60N65SMMF具有多项优异的电气和热性能。其采用的Super Junction技术显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。该器件能够在高电压条件下稳定运行，最大漏源电压达到650V，适用于高功率密度设计。此外，FGA60N65SMMF具备良好的热管理能力，TO-247封装提供了较大的散热面积，确保在高负载情况下仍能保持较低的工作温度。
　　在动态性能方面，FGA60N65SMMF具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了系统响应速度。其栅极电荷（Qg）较低，有助于降低驱动电路的复杂性和功耗。该MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在异常工况下提供额外的保护，增强系统的可靠性。FGA60N65SMMF的这些特性使其成为高性能电源转换和电机控制应用的理想选择。

FGA60N65SMMF广泛应用于多种高功率电子系统中。常见的用途包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、电机驱动器、照明控制系统以及工业自动化设备。在这些应用中，FGA60N65SMMF能够提供高效的功率转换，同时保持系统的稳定性和可靠性。此外，该器件也适用于需要高耐压和高电流能力的新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电系统。

FGA60N65SMD、FGA60N65SPD、SGH60N65CFD