型号：UPA1V222MHD6
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：20V
　　最大栅源电压(Vgs)：±12V
　　最大连续漏极电流(Id)：5.7A
　　最大脉冲漏极电流(Id_pulse)：22A
　　导通电阻(Rds(on))：22mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻(Rds(on))：28mΩ @ Vgs=2.5V
　　阈值电压(Vth)：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容(Ciss)：420pF @ Vds=10V
　　输出电容(Coss)：140pF @ Vds=10V
　　反向恢复时间(Trr)：12ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：HMS3 (S-Mini3)
　　安装类型：表面贴装(SMT)
　　极性：单N沟道
　　栅极电荷(Qg)：6.5nC @ Vgs=10V

UPA1V222MHD6采用了罗姆专有的Trench MOS结构技术，这种结构通过优化沟道设计和掺杂分布，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通损耗，提高了整体能效。该器件在Vgs=4.5V时Rds(on)仅为22mΩ，在低驱动电压下仍能保持优异的导通性能，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景。其低阈值电压（典型值0.8V）确保了在低控制电压下也能实现快速开启，提升了开关响应速度。
　　该MOSFET的HMS3封装是一种超小型表面贴装封装，尺寸仅为约1.6mm × 1.6mm × 0.55mm，极大节省了PCB布局空间，特别适合高密度组装的便携式设备。尽管体积小，但其热性能经过优化，能够有效传导热量，避免局部过热导致的可靠性下降。封装材料符合环保要求，不含铅和有害物质，满足现代电子产品对绿色制造的需求。
　　在开关特性方面，UPA1V222MHD6具有较低的输入和输出电容，Ciss为420pF，Coss为140pF，这有助于减少开关过程中的能量损耗，提高高频工作下的效率。其栅极电荷Qg仅为6.5nC（@10V），意味着驱动电路所需提供的电荷量较少，进一步降低了驱动损耗，有利于提升电源系统的整体效率。此外，较短的反向恢复时间（Trr=12ns）使其在同步整流等需要快速关断的应用中表现出色，减少了体二极管反向恢复引起的尖峰电流和电磁干扰。
　　该器件具备良好的热稳定性和长期可靠性，在-55°C至+150°C的结温范围内均可正常工作，适应严苛的工作环境。内置的体二极管具有一定的电流承载能力，可在瞬态条件下提供续流路径，增强电路安全性。同时，器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试，确保在各种应用场景下的长期稳定性。

UPA1V222MHD6广泛应用于各类低电压、高效率的电源管理系统中。其主要应用场景包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能与电源管理。在DC-DC降压转换器中，它常作为同步整流MOSFET使用，替代传统肖特基二极管，显著降低导通损耗，提高转换效率，尤其适用于12V转5V或5V转3.3V等低压差转换场合。此外，该器件也适用于电池供电系统中的电源路径管理，如移动电源、蓝牙耳机、智能手表等产品中，用于电池充放电控制或主备电源切换。
　　在电机驱动和LED驱动电路中，UPA1V222MHD6可用于小功率开关控制，凭借其快速开关响应和低导通电阻，实现高效稳定的驱动性能。由于其小型封装特性，该器件非常适合用于空间受限的高密度PCB设计，例如智能手机内部的摄像头模组电源控制、显示屏背光调节或传感器供电管理。在热插拔电路和电源排序应用中，该MOSFET也可作为理想的开关元件，防止浪涌电流对系统造成冲击。
　　此外，UPA1V222MHD6还可用于USB电源开关、LDO后级开关、多电源选择开关等场合。其低Vgs(th)特性使其兼容多种逻辑电平控制信号，无需额外电平转换即可由微控制器GPIO直接驱动，简化了电路设计。对于需要高可靠性与长寿命的工业和消费类电子产品而言，该器件是一个性能优越且成本效益高的解决方案。

UPA1H222MHD-E1-AZ
　　DMG2224UW-7
　　AOZ5222AICI